重要要点：第七届宽带隙能源器件和应用研讨会（WiPDA 2019）

 氮化镓系统 (GaN Systems) 总监Peter A.Di Maso

很高兴出席近日在北卡罗来纳州立大学校园举行的 WiPDA 会议。本周的会议以JEDEC的JC-70宽带隙功率电子转换半导体委员会半年度会议开始。JEDEC是全球微电子行业开放标准制定的领导者，有3000多名志愿者代表近300家会员企业。

JC-70委员会刚刚庆祝其两周年成立纪念，并负责制定有关可靠性和鉴定程序，测试和测量方法以及数据表要素的行业准则。 该委员会的成员由众多带隙行业的领导者组成，他们以饱满的热情为我们做出了贡献，以确保我们不断进步。这促成了关于促进功率转换中采用GaN和SiC的热烈并有效的讨论。 我赞赏JC-70的志愿者。

第二天，我们举行了第七届IEEE宽带隙能源器件和应用研讨会（WiPDA 2019）全体会议。 我特别喜欢ABB公司研究部的. Sandeep Bala 博士关于使用氮化镓的全会发言。。Bala博士谈到了GaN的好处以及他和他的团队如何克服了一些挑战。

参加讨论GaN能源器件市场采用情况以及市场渗透的加速器和障碍的座谈会对我来说是一种荣幸。 与桑迪亚国家实验室（Sandia National Labs）的罗伯特·卡普拉（Robert Kaplar）组成一个多元化的小组，这是令人振奋的，研究人员正在研究宽带隙材料，这些材料将取代硅成为能源半导体行业的骨干力量，从而有效地打破了壁垒。 JC-70.1 GaN小组委员会联合主席Tim MacDonald强调，用户处于学习曲线上，而JC-70.1正在帮助加快这一曲线。 此外，来自德州仪器（Sandeep Bahl）和英飞凌科技（Alain Charles）的代表也参加了小组讨论。

此外，我非常荣幸在会议的最后一天有机会主持有关GaN应用的会议，并展示了里昂大学和阿肯色大学等大学的充满智慧的论文。 最后，我介绍了GaN Systems的Lei Kou博士关于GaN在低频应用中的优势的论文。

总而言之, 毫不夸张地说GaN已经成为新的能源电子设计的主流。它不仅是处于发展讨论的最前沿。 工程师了解性能优势，而管理层则了解经济利益，了解使用GaN的好处。