宽能隙元件技术及未来应用趋势研讨会
为铂金赞助商，氮化镓系统公司(GaN Systems)将出席3月10日在台大医院国际会议中心举办的 “宽能隙元件技术及未来应用趋势研讨会”。
氮化镓系统公司业务拓展副总裁庄渊棋先生(Andy Chuang)将作题为WBG Improves Energy Problem & Efficiency 的主题演讲。
氮化镓系统公司亚洲区总经理与环球运营副总裁柯宇轩先生(Stephen Coastes)也将作演讲，主题为：Benefits & Advantages of a GaN-based 3kW AC/DC PSU。
近期引起众多话题的宽能隙(WBG)元件(亦称为第三代半导体)——氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等，由于具备高电子迁移率和高功率转换效率、高击穿电压…等特性，因此相当适用于包括移动通讯设备如5G基地台、电动车、工业4.0、再生能源等对高压电源架构需求高的应用。不过，宽能隙半导体虽然具备比硅元件更好的优势，但其在半导体制程相关技术，以及应用设计方面难度较高，也导致业者对于这些新兴复合材料所打造的宽能隙半导体元件有所却步。Tech Taipei「宽能隙元件技术及未来应用趋势研讨会」将聚集半导体产业链中关键供应商，深入剖析宽能隙半导体未来市场应用、制造制程/设备与应用实例，带领与会者进入宽能隙半导体的世界，并寻找切入市场的最佳机会。
