产品号GS-065-060-3-B
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VDS650 V
IDS60 A
RDS(on)25 mΩ
QG14 nC
尺寸(MM)11.0. x 9.0 x 0.45
散热底部

GS-065-060-3-B

650V增强型氮化镓晶体管

GS-065-060-3-B是增强型硅基氮化镓功率晶体管。氮化镓的特性允许大电流,高电压和高开关频率。氮化镓系统 (GaN Systems) 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。GS-065-060-3-B是一款底部散热晶体管,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。

  • 650 V 增强型功率器件
  • 底部散热,低电感GaNPX®封装
  • RDS(on) = 25 mΩ
  • IDS(max) = 60 A
  • 简单的门极驱动要求(0 V至6 V)
  • 瞬态容错门极驱动(-20 / + 10 V)
  • 非常高的开关频率(> 10 MHz)
  • 高速开关, 可控的开通关断时间
  • 反向导通能力
  • 零反向恢复损耗
  • 小尺寸11 x 9 mm2 面积
  • 双栅极驱动,便于优化布局和并联
  • 符合RoHS 3 (6+4)标准

应用

  • AC-DC 转换器
  • DC-DC转换器
  • 无桥图腾柱 PFC
  • 太阳能逆变器
  • 储能系统
  • 车载充电器
  • 不间断电源
  • 工业电机驱动器
  • 激光驱动器
  • 牵引驱动

评估板

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