100V 增强型氮化镓晶体管

产品编号	I_DS	R_DS(on)	Q_G	外形尺寸	封装散热
GS61004B	38 A	16 mΩ	3.3 nC	4.6 x 4.4 x 0.51 毫米	底部
GS61008P	90 A	7 mΩ	8 nC	7.5 x 4.6 x 0.51 毫米	底部
GS61008T	90 A	7 mΩ	8 nC	7.0 x 4.0 x 0.54 毫米	顶部

650V 增强型氮化镓晶体管

产品编号	I_DS	R_DS(on)	Q_G	外形尺寸	封装散热
GS-065-004-1-L	4 A	450 mΩ	0.8 nC	5.0 x 6.0 x 0.85 毫米	底部
GS-065-008-1-L	8 A	225 mΩ	1.5 nC	5.0 x 6.0 x 0.85 毫米	底部
GS-065-011-1-L	11 A	150 mΩ	2 nC	5.0 x 6.0 x 0.85 毫米	底部
GS66502B	7.5 A	200 mΩ	1.6 nC	5.0 x 6.6 x 0.51 毫米	底部
GS66504B	15 A	100 mΩ	3.3 nC	5.0 x 6.6 x 0.51 毫米	底部
GS66506T	22.5 A	67 mΩ	4.5 nC	5.6 x 4.5 x 0.54 毫米	顶部
GS66508B	30 A	50 mΩ	6.1 nC	7.1 x 8.5 x 0.5 毫米	底部
GS66508P	30 A	50 mΩ	6.1 nC	10.0 x 8.7 x 0.51 毫米	底部
GS66508T	30 A	50 mΩ	6.1 nC	6.9 x 4.5 x 0.54 毫米	顶部
GS-065-060-5-T-A	60 A	25 mΩ	14 nC	9.0 x 7.6 x 0.69 毫米	顶部
GS66516B	60 A	25 mΩ	14.2 nC	11.0 x 9.0 x 0.51 毫米	底部
GS66516T	60 A	25 mΩ	14.2 nC	9.0 x 7.6 x 0.54 毫米	顶部
GS-065-080-1-D	80 A	18 mΩ	16 nC	6.6 x 5.6 x 0.26 毫米	晶片
GS-065-150-1-D	150 A	10 mΩ	33 nC	12.6 x 5.6 x 0.3 毫米	晶片

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