产品号GS-065-060-5-T-A
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Altium库 
VDS650 V
IDS6 A
RDS(on)25 mΩ
QG14 nC
尺寸(MM)9.0 x 7.6 x 0.69
散热 顶部

GS-065-060-5-T-A

650V 车规增强型氮化镓功率器件

GS-065-060-5-T-A是车规650伏增强型硅基氮化镓功率器件。氮化镓功率器件具有可实现大电流,高压击穿和高开关频率的特性。氮化镓系统公司通过行业领先的创新进行创新,例如获得专利的Island Technology®布局和GaNPX®封装。Island Technology®单元布局可实现大电流芯片和高成品率。GaNPX®封装可在小封装中实现低电感和低热阻。GS-065-060-5-T-A是顶部冷却的功率器件,在要求苛刻的高功率应用中,结至壳的热阻非常低。这些功能结合在一起可提供非常高效的电源设计。

  • AEC-Q101 and AutoQual+™ 标准(增强AEC-Q101)
  • 650 V 增强型功率器件
  • 顶部散热, 低杂散电感GaNPX® 封装
  • RDS(on) = 25 mΩ
  • IDS(max) = 60 A
  • 超低品质因数(FOM)
  • 简单驱动电压 (0 V to 6 V)
  • 高瞬态驱动电压(-20 / +10 V)
  • 高开关频率(> 10 MHz)
  • 开速并可控的驱动上升沿和下降沿
  • 反向导通能能力
  • 零反向恢复损耗
  • 小 9 x 7.6 mm2 PCB 面积
  • 双栅极焊盘可优化电路板布局
  • 兼容RoHS 3 (6+4)

应用

  • 电动汽车车载充电机
  • 电驱
  • DC-DC 变换器
  • AC-DC 变换器
  • 工业马达
  • 光伏逆变器
  • 无桥图腾柱功率因数校正