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评估板: GS-EVB-HB-61008P-ON

100V 高速 GaN 半桥评估板

GS-EVB-HB-61008P-ON 评估板是由NCP51810 门极驱动芯片驱动的两个GS61008P GaN 器件组成的半桥结构。用户可以在具有良好鲁棒性的简化布局中轻松地评估由NCP51810 驱动的GaN 器件。此评估板提供GaN器件和驱动芯片组合的最大灵活性,可用于任何需要使用上桥臂和下桥臂FET的拓扑中。

优点

  • 可支持48 V输入设计,具有足够的安全裕度和高性能
  • 高频运行下具有良好的鲁棒性
  • 简化设计,针对驱动GaN器件进行了优化
  • 最多50ns的传输延迟
  • 高效并允许并联
  • 允许控制上升和下降时间以进行EMI调谐
  • 提供可配置的死区时间控制和驱动启用/禁用功能

应用

  • 谐振转换器
  • 半桥和全桥转换器
  • 有源钳位反激式转换器
  • 非隔离降压/升压转换器
  • 可供数据中心使用的48V至低压的中间总线转换器
  • 48 V到PoL转换器
  • 工业电源模块

与安森美半导体(ON Semiconductor)合作出品,应用 NCP1810 (200V高速半桥GaN驱动芯片)