产品号GS-EVM-HB-650V150A-SP1
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评估模块: GS-EVM-HB-650V150A-SP1

650V 150A 带集成门极驱动的半桥智能功率模块

650V 150A 增强型GaN智能功率模块具有极低开关损耗,集成门极驱动,极小的体积和极低的开通电阻(RDS(on)), 专为高效率高开关频率应用设计,可用于光伏逆变器, 储能系统 (ESS),不间断电源 (UPS),变频驱动器 及其他常见用途。

特征及优点

  • 包含2个GS-065-150-1z-D (650V 150A 增强型晶片)
  • 集成的隔离门极驱动
  • 极低的RΘ_JUNC_PLATE , 0.2 0C/W
  • 极低的开通电阻(RDS(on)) 和极低的开关损耗
  • 压配合销,工业标准的外壳

应用

  • 光伏逆变器
  • 储能系统 (ESS)
  • 不间断电源 (UPS)
  • 变频驱动器
  • 电动汽车充电器

示意图



与 SEMIPOWEREX 合作出品