顶视图
底视图
产品号GS-EVB-HB-66508B-RN
下载用户手册
RAA226110 规格书

仅作为设计文档

已停产

参考设计: GS-EVB-HB-66508B-RN

650 V 30A GaN Half-Bridge and Driver with Over Current Protection

GS-EVB-HB-66516T-RN 是650 V 30A GaN器件半桥电路和 RAA226110 门机驱动芯片的参考设计。此参考设计包含了两个GaN Systems的 650V 增强型GaN器件 “GS66516T” 及所有必需的外围电路，包括半桥门机驱动芯片，隔离电源和自选散热器，共同构成可工作的半桥功率级。用户可以借助此参考设计搭建增强型GaN器件的半桥拓扑性能评估平台，兼容650 V通用母板(P/N: GS665MB-EVB) 或其他用户系统。

特征及优点

  • 可编程的过流保护
  • 集成的VGS 电压调节, 2 MHz 开关频率范围
  • 针对电磁兼容(EMC)可调的开通速率 (300 mA ~ 2 A)
  • 支持双向或单向GaN门极驱动
  • 0 V 关断电压
  • 垂直安装，高度为35 mm
  • 留有电流分流器位置，便于开关特性测试

应用

  • 企业: 1U电源高达5 kW
  • 高性价比，高功率密度的双向图腾柱功率因数校正(BTP PFC)
  • 工业: 光伏逆变器，储能系统 (ESS) 和马达驱动
  • 电动汽车: DC-DC转换器和车载充电器

与瑞萨电子(Renesas)合作出品, 应用RAA226110(带可编程电源电流及可调过流保护的下桥臂GAN FET 驱动