GS-EVB-HB-66516T-RN 是650 V 60A GaN器件半桥电路和 RAA226110 门机驱动芯片的评估板。此评估套件包含了两个GaN Systems的 650V 增强型GaN器件 “GS66516T” 及所有必需的外围电路，包括半桥门机驱动芯片，隔离电源和自选散热器，共同构成可工作的半桥功率级。用户可以使用650 V通用母板 ( P/N: GS665MB-EVB) 或其他系统设计，在任何半桥拓扑结构中评估增强型GaN器件的性能。

特征及优点

• 可编程的过流保护
• 集成的VGS 电压调节, 2 MHz 开关频率范围
• 针对电磁兼容(EMC)可调的开通速率 (300 mA ~ 2 A)
• 支持双向或单向GaN门极驱动
• 0 V 关断电压
• 垂直安装，高度为35 mm
• 留有电流分流器位置，便于开关特性测试

应用

• 企业: 1U电源高达5 kW
• 高性价比，高功率密度的双向图腾柱功率因数校正(BTP PFC)
• 工业: 光伏逆变器，储能系统 (ESS) 和马达驱动
• 电动汽车: DC-DC转换器和车载充电器