| 产品号 | GS-EVM-HB-650V150A-SP1 |
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| 下载 | 用户手册 3-D CAD 模型 |
评估模块: GS-EVM-HB-650V150A-SP1
650V 150A 带集成门极驱动的半桥智能功率模块
650V 150A 增强型GaN智能功率模块具有极低开关损耗，集成门极驱动，极小的体积和极低的开通电阻(RDS(on))， 专为高效率高开关频率应用设计，可用于光伏逆变器， 储能系统 (ESS)，不间断电源 (UPS)，变频驱动器 及其他常见用途。
特征及优点
- 包含2个GS-065-150-1z-D (650V 150A 增强型晶片)
- 集成的隔离门极驱动
- 极低的RΘ_JUNC_PLATE , 0.2 0C/W
- 极低的开通电阻(RDS(on)) 和极低的开关损耗
- 压配合销，工业标准的外壳
应用
- 光伏逆变器
- 储能系统 (ESS)
- 不间断电源 (UPS)
- 变频驱动器
- 电动汽车充电器
示意图
与 SEMIPOWEREX 合作出品
