Part Number | GS66508T-EVBDB |
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已停产
评估板: GS66508T-EVBDB
基于650 V GaN E-HEMT的子板: 改版 1
老版本子板(GS66508T-EVBDB)背后有氮化镓系统 (GaN Systems)的商标,请参考下列文件。
需要母版(GS665MB-EVB)
GS66508T-EVBDB 半桥子板包含两颗650V 增强型氮化镓器件(GS66508T),以及所需的驱动、辅助隔离电源和备用的散热器。使用者可以通过氮化镓系统 (GaN Systems)的母版(GS665MB-EVB)或者自行设计的系统板来评估GaN半桥电路在不同拓扑中的特性。
- 提供完整参考设计以供客户快速评估GaN系统性能
- 35mm竖直安装,完美契合主流1U设计,满足传统通孔(through-hole)安装要求
- 预留采流电阻位置以便开关特性评估
- 所有产品相同封装设计