GaN Systems 4th Generation GaN Power Platform

GaN Systems 第四代氮化镓平台

GaN Systems 第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Power Platform) 帮助全球客户在能源效率及尺寸微缩上突破瓶颈。以业界领先的质量因子 (figures of merit)，实现具有绝对优势的开关及传导损耗，更解锁降低整体系统成本的密码，与硅、碳化硅 (SiC)、甚至其他氮化镓产品相比，提供更高的成本效益。 GaN System 作为推动电源产业更新换代的先驱角色，承诺持续开发高性价比的能源转换解决方案。

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第四代平台应用优势

能效超越开放运算计画 (Open Computing Project) 所制定的 M-CRPS 规范。
在电源供应器设计中实现更高的轻载转换效率，满足资料中心永续节能要求。
相较基于硅、碳化硅的方案，实现较低总系统成本。
应用案例：采用 GaN Systems 第四代平台开发的 3.2kW 电源供应器，不仅效率超过钛金级能效标准，功率密度更从 100W/in³ 提升至 120W/in³。

第四代平台特色

输入/输出质量因子提升超过 20%，实现更低的系统损耗、效率优化及卓越成本效益。
提供包括 PDFN、TOLL、TOLT 及嵌入式 (Embedded) 等不同封装选项，针对不同应用搭配最适当的 Rds 阻抗和封装组合，实现卓越电气和热性能表现。
700V 氮化镓 E-mode 晶体管提供当前业界最高的瞬态电压额定值，达850V，大幅提升整体系统可靠性及稳健性，此额定值使半导体元件能够承受使用者环境中的异常情况，如电压突波，确保不间断且可靠的性能。
提供适用于 20W 到 25,000W 电源系统的导通电阻。

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