| 产品号 | GS-065-008-1-L |
|---|---|
| 下载 | 数据表 Design Note Spice Models Step File Allegro库 Altium库 ECAD Model |
| VDS | 650 V |
| IDS | 8 A |
| RDS(on) | 225 mΩ |
| QG | 1.5 nC |
| 尺寸（MM) | 5.0 x 6.0 x 0.85 |
| 散热 | 底部 |
GS-065-008-1-L
650V增强型氮化镓晶体管
GS-065-008-1-L是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许大电流，高电压和高开关频率。 氮化镓系统 (GaN Systems) 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GS-065-008-1-L是一款5×6毫米 PDFN封装的底部散热晶体管，可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。
- 超低 FOM
- 底部冷卻, 小尺寸5×6毫米 PDFN封装
- 简单的门极驱动要求（0 V至6 V）
- 瞬态容错门极驱动（-20 V / + 10 V）
- 高的开关频率（> 1 MHz）
- 快速和可控的下降和上升时间
- 源极检测（SS）焊盘用于优化门极驱动
- 反向 傳導 能力
- 零反向恢复损耗
- 符合RoHS 3 (6+4) 标准
- 电源适配器
- LED电源驱动
- 电池快速充电
- LLC谐振变换器
- 功率因数校正
- 家用电器电机驱动
- 无线功率变换
- 工业电源
