产品号GS-065-011-2-L
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VDS650 V
IDS11 A
RDS(on)150 mΩ
QG2.2 nC
尺寸(MM)8 x 8 x 0.9
散热 底部

GS-065-011-2-L

650V增强型氮化镓晶体管

GS-065-011-2-L是增强型硅基氮化镓功率晶体管。氮化镓的特性允许大电流,高电压和高开关频率。氮化镓系统 (GaN Systems) 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GS-065-011-2-L是一款底部冷却晶体管,采用 8×8 毫米 PDFN 封装,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。

  • 650 V 增强型功率器件
  • 底部散热, 小尺寸 8×8 mm PDFN 封装
  • RDS(on) = 150 mΩ
  • IDS(max) = 11 A
  • 超低 FOM
  • 简易门极驱动条件(0 V 至 6 V)
  • 门极驱动瞬态电压裕量 (-20 V / +10 V)
  • 高开关频率 (> 1 MHz)
  • 高速开关, 可控的开通关断时间
  • 反向传导能力
  • 零反向恢复损耗
  • 用于优化栅极驱动的源检测 (SS) 引脚
  • 符合 RoHS 3 (6+4)

应用

  • 消费类和工业电源
  • 电源适配器
  • LED 照明驱动器
  • 快速电池充电
  • 功率因数校正
  • 家电、工业电机驱动器
  • 无线电力传输