| 产品号 | GS-065-018-2-L |
|---|---|
| 下载 | 数据表 Design Note Spice Models Step File Allegro库 Altium库 ECAD Model |
| VDS | 650 V E-HEMT |
| IDS | 18 A |
| RDS(on) | 78 mΩ |
| QG | 4 nC |
| 尺寸（MM) | 8.0 x 8.0 x 0.9 |
| 散热 | 底部 |
GS-065-018-2-L
650V增强型氮化镓晶体管
GS-065-018-2-L是增强型硅基氮化镓功率晶体管。氮化镓的特性允许大电流，高电压和高开关频率。氮化镓系统 (GaN Systems) 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GS-065-018-2-L是一款底部冷却晶体管，采用 8×8 毫米 PDFN 封装，可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。
- 650 V 增强型功率器件
- 底部散热, 8×8 mm PDFN 封装
- RDS(on) = 78 mΩ
- IDS(max) = 18 A / IDSmax,Pulse = 35 A
- 简易门极驱动条件（0 V 至 6 V）
- 门极驱动瞬态电压裕量 (-20 V / +10 V)
- 高开关频率 (> 1 MHz)
- 高速开关, 可控的开通关断时间
- 反向传导能力
- 零反向恢复损耗
- 用于优化栅极驱动的源检测 (SS) 引脚
- 符合 RoHS 3 (6+4)
- 消费类和工业电源
- 电源适配器
- LED 照明驱动器
- 快速电池充电
- 功率因数校正
- 家电、工业电机驱动器
- 无线电力传输
