GS-065-060-3-B
650V增强型氮化镓晶体管
GS-065-060-3-B是增强型硅基氮化镓功率晶体管。氮化镓的特性允许大电流，高电压和高开关频率。氮化镓系统 (GaN Systems) 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。GS-065-060-3-B是一款底部散热晶体管，可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。
- 650 V 增强型功率器件
- 底部散热，低电感GaNPX®封装
- RDS(on) = 25 mΩ
- IDS(max) = 60 A
- 简单的门极驱动要求（0 V至6 V）
- 瞬态容错门极驱动（-20 / + 10 V）
- 非常高的开关频率（> 10 MHz）
- 高速开关, 可控的开通关断时间
- 反向导通能力
- 零反向恢复损耗
- 小尺寸11 x 9 mm2 面积
- 双栅极驱动，便于优化布局和并联
- 符合RoHS 3 (6+4)标准
- AC-DC 转换器
- DC-DC转换器
- 无桥图腾柱 PFC
- 太阳能逆变器
- 储能系统
- 车载充电器
- 不间断电源
- 工业电机驱动器
- 激光驱动器
- 牵引驱动
