GS61004B
100V增强型氮化镓晶体管
GS61004B是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许大电流，高电压和高开关频率。 氮化镓系统 (GaN Systems) 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS61004B是一款底部散热晶体管，可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。
- 超低品质因数（FOM)岛技术®晶片
- 低电感GaN PX®封装
- 简单的门极驱动要求（0 V至6 V）
- 瞬态容错门极驱动（-20 V / + 10 V）
- 非常高的开关频率（> 10 MHz)
- 快速和可控的下降和上升时间
- 反向电流能力
- 零反向恢复损耗
- 小尺寸4.6 x 4.4 mm2占板面积
- 符合RoHS 3 (6+4)标准
- 服务器和网络电源
- 不间断电源(UPS)
- 工业电机驱动
- 光伏电源
- 快充电源
- D类音频功放
- 智能家居
- 无线电传输
- GSWP050W-EVBPA: 50W, 6.78MHz EF2 无线功率放大器
- PE29102: pSemi High-speed FET Driver
