GS61008P
100V增强型氮化镓晶体管
GS61008P是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许高电流，高电压击穿和高开关频率。 氮化镓系统 (GaN Systems) 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS61008P是一款底部冷却晶体管，可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。
- 超低品质因数岛技术®晶片
- 低电感GaNPX®封装
- 简单的门极驱动要求（0 V至6 V）
- 瞬态容错门极驱动（-20 V / + 10 V）
- 非常高的开关频率（> 10 MHz）
- 快速和可控的下降和上升时间
- 反向电流能力
- 零反向恢复损耗
- 小尺寸7.6 x 4.6 mm2占板面积
- 源极检测（SS）焊盘用于优化门极驱动
- 符合RoHS 3 (6+4)标准
- 储能系统 (ESS)
- AC/DC电源(副边)
- 不间断电源(UPS)
- 工业电机驱动
- 快充电源
- D类音频功放
- 牵引逆变器
- GS-EVB-HB-61008P-ON: 100V 高速 GaN 半桥评估板
- GSWP100W-EVBPA: 100W, 6.78MHz EF2 无线功率放大器
- GS-EVB-AUD-BUNDLE2-GS: Audio Class D 2-channel amplifier and 400W SPMS
- LTC7800: Analog Devices High Frequency Synchronous Step-Down Controller
- PE29101: pSemi High-speed FET Driver
