GS66508B
650V增强型氮化镓晶体管
GS66508B是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许高电流，高电压击穿和高开关频率。 氮化镓系统 (GaN Systems) 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS66508B是一款底部冷却晶体管，可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。
- 超低品质因数岛技术®晶片
- 低电感GaNPX®封装
- 简单的门极驱动要求（0 V至6 V）
- 瞬态容错门极驱动（-20 V / + 10 V）
- 非常高的开关频率（> 10 MHz）
- 快速和可控的下降和上升时间
- 反向电流能力
- 零反向恢复损耗
- 小尺寸7.0 x 8.4 mm2占板面积
- 源极检测（SS）引脚用于优化门极驱动
- 符合RoHS 3 (6+4)标准
- AC-DC转换器
- DC-DC转换器
- 无桥图腾柱PFC
- 逆变器
- 储能系统
- 车载电池充电器
- 不间断电源
- 太阳能和风力发电
- 工业电机驱动器
- 家电
- 激光驱动器
- 无线电力传输
- GS66508B-EVBDB1: 基于650 V GaN E-HEMT的子板
- GSP66508HB-EVBIMS2: 大功率半桥/全桥绝缘铝基板2（IMS2）评估平台
- GSWP300W-EVBPA: 300W, 6.78MHz EF2 无线功率放大器
- NCP51820GAN1GVEB: On Semiconductor NCP51820 HB GaN Driver Evaluation Board
