GS66508T
650V增强型氮化镓晶体管
GS66508T是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许大电流，高电压和高开关频率。 氮化镓系统 (GaN Systems) 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS66508T是一款顶部散热晶体管，可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。
- 超低品质因数（FOM)岛技术®晶片
- 低电感GaNPX®封装
- 简单的门极驱动要求（0 V至6 V）
- 瞬态容错门极驱动（-20 V / + 10 V）
- 非常高的开关频率（> 10 MHz）
- 快速和可控的下降和上升时间
- 反向电流能力
- 零反向恢复损耗
- 小尺寸7.0 x 4.5 mm2占板面积
- 双门极可实现最佳电路板布局
- 符合RoHS 3 (6+4)标准
- 高效率的功率转换
- 高功率密度的功率转换
- AC-DC转换器
- 无桥图腾柱PFC
- ZVS移相全桥
- 半桥拓扑
- 同步降压或升压
- 不间断电源
- 工业电机驱动器
- 单相和3相逆变器桥臂
- 太阳能和风力发电
- 快速充电
- D类音频放大器
- 400 V输入DC-DC转换器
- 车载电池充电器
- 牵引驱动器
- GS66508T-EVBDB2: 基于650 V GaN E-HEMT的子板
- ACPL-P346: Broadcom Half Bridge Evaluation Board
