GS66516B
650V增强型氮化镓晶体管
GS66516B是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许大电流，高电压和高开关频率。 氮化镓系统 (GaN Systems) 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS66516B是一款底部散热晶体管，可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。
- 超低品质因数（FOM)岛技术®晶片
- 低电感GaNPX®封装
- 简单的门极驱动要求（0 V至6 V）
- 瞬态容错门极驱动（-20 / + 10 V）
- 非常高的开关频率（> 10 MHz）
- 快速和可控的下降和上升时间
- 反向电流能力
- 零反向恢复损耗
- 小尺寸11 x 9 mm2占板面积
- 源极检测（SS）焊盘用于优化门极驱动
- 双门极和源极检测焊盘可实现最佳电路板布局
- 符合RoHS 3 (6+4)标准
- AC-DC转换器
- DC-DC转换器
- 无桥图腾柱PFC
- 逆变器
- 储能系统
- 车载电池充电器
- 不间断电源
- 太阳能
- 工业电机驱动器
- 激光驱动器
- 牵引驱动器
- 无线电力传输
