GaN Systems 与 Renesas 强强联合,将汽车 DC/DC 尺寸减半

氮化镓功率半导体的全球领导者 GaN Systems 今天宣布,瑞萨电子公司的新型汽车 48V/12V 双向 DC/DC 转换器采用 GaN Systems 功率晶体管, 大幅提高了功率密度。 新转换器采用 GaN Systems 的 GS61008P,一款 100V 增强型的 GaN-on-silicon 功率晶体管,可将系统尺寸缩减 46%。

瑞萨电子的解决方案适用于需要高效 48V/12V DC/DC 转换器的 48V 轻度混合动力汽车和电动摩托车。 GaN 允许以高效率实现高开关频率——这意味着更小的磁性元件和更小的尺寸。 与使用 Si-MOSFET 相比,GaN Systems 的 GaN HEMT 可将 PCB 面积缩小 50%。

新转换器的优势(见下图)包括:

  • 得益于GaN Systems 晶体管的出色开关能力,PCB 面积减少了 46%,从而实现了具有 500kHz 高开关频率的高效电源转换器。 这也使得采用非常小的 1.3µH 电感器成为可能,从而显著减小尺寸和重量。
  • 在广泛的负载范围内具有高效率。 GaN与自动相位下降功能的组合即使在低负载下也能实现高效的功率转换,在 400W 至 3kW 的宽负载范围内功率效率超过 94%。
  • SL78226 PWM 控制器可以完全取代复杂的 DC/DC 转换器控制软件开发。
  • 半桥驱动器 ISL78420/444 提供了一种简单,高性价比的 GaN 晶体管驱动方法。

“ 汽车(行业)客户一直在追求更高的功率密度和更低的成本,而本次新设计再次反映了使用 GaN 在能够在更小、更高效和更具性价比的设计中大幅提高功率密度。” GaN 首席执行官 Jim Witham 表示: “该设计来自瑞萨电子这一事实意义重大,因为他们是汽车半导体解决方案的市场领导者,在了解行业需求方面享有盛誉。 这是将 GaN 技术的优势带给该客户群的重要一步。”

GaN 不仅对消费电子等行业有显著的吸引力,同时GaN 也逐渐成为混合动力和电动汽车中功率转换和电池充电的首选技术。 GaN 以非常低的成本提供比硅和碳化硅更高的性能,从而可以经济高效地减轻各种电动汽车的重量并提高效率。

 

瑞萨电子提供完整的,嵌入式设计创新的半导体解决方案,连接数十亿智能设备,改善人们的工作和生活方式。 作为微控制器、模拟、电源和 SoC 产品的全球领导者,瑞萨电子为广泛的汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用提供全面的解决方案。