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氮化镓功率晶体管价格降至1美元以下

这一关键里程碑标志着氮化镓在全球范围内被迅速采用 安大略省渥太华市,2021年3月9日– GaN(氮化镓)功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布,其低电流,大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。 这些晶体管通常用于智能手机和笔记本电脑以及各种消费品和工业应用的氮化镓充电器和AC适配器。 随着全球众多消费者,企业和工业市场客户的产量提高,GaN Systems预计氮化镓晶体管的价格会进一步降低 多年来,尽管人们已经认识到氮化镓的性能优势,包括较低的总体系统成本,更高的功率密度和功率效率,但许多电源系统制造商还是选择等待氮化镓接近硅的价格再采用。 “等待已经结束,我们终于看到价格低于1美元,这是一个里程碑。 随着数量的猛增,氮化镓价格已经逼近甚至低于硅MOSFET的价格,” GaN Systems首席执行官Jim Witham评论道。 “在短短几年内,我们看到氮化镓使电源系统变得更小,更轻,更凉也更便宜。 因此现在有非常多的客户在其产品和设计中使用氮化镓,也就不足为奇了。” 市场对氮化镓功率半导体的需求一直在增长。 根据“宏景研究所”Grand View Research)的预测,全球氮化镓半导体器件市场将从2020年的16.5亿美元(市场规模价值)以19.8%的复合年增长率增长,到2027年达到58.5亿美元。GaN Systems公司一直在经历这种增长,它最近宣布达到了2千万氮化镓晶体管的出货量 ,并将在2021年实现40倍的产能扩展。 根据Yole Développement 的说法,氮化镓的采用率上升是由大批量消费品市场(如快速充电器应用)推动的。 消费者和企业应用市场的高速增长,以及GaN Systems公司对工艺的不断改进和对成本控制的关注,使氮化镓价格下调成为可能。 由于GaN Systems公司业已证明的可靠性和大批量生产能力,这一趋势使其在许多市场上迅速采用氮化镓方面处于有利地位。 如欲了解更多信息或购买氮化镓产品,请访问cn.gansystems.com。

氮化镓系统公司推出全球首款具有可编程源电流和过流保护功能的氮化镓功率级

新的半桥子卡采用瑞萨电子的氮化镓 FET驱动器 氮化镓功率半导体的全球领导者GaN Systems公司今天宣布发布两款650V半桥子卡(30A和60A),它们提供了一种用于评估氮化镓驱动器和晶体管的超多功能平台。 评估板提供两种功率级别,最高3kW(GS-EVB-HB-66508B-RN)和最高6kW(GS-EVB-HB-66516T-RN),并包含瑞萨电子(Renesas)RAA226110低侧氮化镓 FET驱动器 。 这些卡是业界首款提供具有可调阈值和可编程源电流的可编程过流保护功能,以实现可调节的导通压摆率的产品。 氮化镓系统公司 (GaN Systems Inc.) 的战略营销副总裁Paul Wiener先生表示: “氮化镓晶体管已经成为电力电子技术的基本组成部分。 瑞萨电子推出的具有同类产品中最佳功能与性能的低侧氮化镓 FET驱动器,证实了氮化镓晶体管已成为电源设计工程师的首选工具。” “瑞萨致力于开发支持氮化镓晶体管的创新功率产品。” 瑞萨电子工业与通信业务部副总裁菲利普·切斯利先生如是说: “一个例子就是我们的新型RAA226110低侧氮化镓FET驱动器,它提供了客户说需要的高性能驱动器的所有功能。” 这些功率级设计用途广泛:它们可用于企业级1U电源(最高5kW),高功率密度无桥图腾柱PFC,PV逆变器,能量存储系统,电机驱动器以及汽车DC / DC转换器和 车载充电器等。 这些评估板的特点是设计灵活,简洁并提供独特的性能。 它们与GaN Systems公司的主板配合使用时可实现轻松设置和即插即用。 该评估卡还具有2MHz fSW的集成VGS调节功能和一些独特的性能,例如具有40mV / 80mV / 120mV可调阈值的可编程过流保护和差分电流感应以及用于可调导通的可编程电源电流 压摆率(0.3A,0.75A或2A)。 如需了解有关这些评估卡的更多信息,请访问氮化镓系统公司官网;有关瑞萨电子RAA226110的信息可以通过访问renesas.com/RAA226110获得。

氮化镓系统公司出货两千万个氮化镓晶体管

氮化镓系统公司出货两千万个氮化镓晶体管 安大略省渥太华市,2021年2月8日 – GaN(氮化镓)功率晶体管的全球领导者氮化镓系统公司(GaN Systems)今天宣布其氮化镓晶体管的出货量已达两千万个,其代工厂正按计划在2021年完成40倍的产能扩展 。 产能增加是为了满足用于多个领域的氮化镓晶体管的下一轮大订单潮。 氮化镓系统公司的产品在几个关键的工业市场上都经历了极高的增长。 除电话和计算机充电器及适配器之外,氮化镓系统公司的晶体管还用于音频放大器,数据中心电源,工业电机驱动器,激光驱动器,医疗电源,卫星和航空航天系统以及汽车EV电源电子产品中。 氮化镓系统公司的全面的,顶级100V和650V产品线可靠性好,效率更高,功率密度更大,同时又减小产品尺寸,重量和成本,优势明显;这些都是氮化镓相对于传统硅和新的SiC晶体获得市场认可日益增长的原因。 另外,氮化镓比SiC便宜得多,后者需要更昂贵和复杂的制造工艺。 增加SiC容量所需的成本比氮化镓高10倍。低CAPEX的容量以及非常低的基板成本导致氮化镓晶体管的成本低于SiC。 目前氮化镓的价格仅为几年前的一半,使系统成本与使用传统硅晶体管构建的电源系统相近或更低。 “我们的产品设计专业知识,产品范围以及与客户的合作伙伴关系已经产生了市场领先的氮化镓产品线。 这得益于我们的飞速增长以及台积电致力于提供满足需求的产能。” GaN Systems首席执行官Jim Witham补充道。 目前,许多大型公司和OEM厂商正在设计和交付基于氮化镓的产品。 正如氮化镓系统公司的 《 2021年功率电子学的顶级技术预测》中所预测的那样,市场对氮化镓供电产品的需求和采用都在增长。 现在,新技术采用风险已被由于您未采用GaN而被抛在后面的风险所替代。

氮化镓系統公司出貨兩千萬個氮化镓晶體管

2021年將完成40倍的産能擴張 安大略省渥太華市,2021年2月8日 – GaN((氮化镓)功率晶體管的全球領導者氮化镓系統公司(GaN Systems)今天宣布其氮化镓晶體管的出貨量已達兩千萬個,其代工廠正按計劃在2021年完成40倍的産能擴展 。 産能增加是為了滿足用于多個領域的氮化镓晶體管的下一輪大訂單潮。 氮化镓系統公司的産品在幾個關鍵的工業市場上都經曆了極高的增長。 除電話和計算機充電器及適配器之外,氮化镓系統公司的晶體管還用于音頻放大器,數據中心電源,工業電機驅動器,激光驅動器,醫療電源,衛星和航空航天系統以及汽車EV電源電子産品中。 氮化镓系統公司的全面的,頂級100V和650V産品線可靠性好,效率更高,功率密度更大,同時又減小産品尺寸,重量和成本,優勢明顯;這些都是氮化镓相對于傳統矽和新的SiC晶體獲得市場認可日益增長的原因。 另外,氮化镓比SiC便宜很多,後者需要更昂貴和複雜的制造工藝。 增加SiC容量所需的成本比氮化镓高10倍。低CAPEX的容量以及非常低的基板成本導致氮化镓晶體管的成本低于SiC。 目前氮化镓的價格僅為幾年前的一半,使系統成本與使用傳統矽晶體管構建的電源系統相近或更低。 “我們的産品設計專業知識,産品範圍以及與客戶的合作夥伴關系已經産生了市場領先的氮化镓産品線。 這得益于我們的飛速增長以及台積電致力于提供滿足需求的産能。” GaN Systems首席執行官Jim Witham補充道。 目前,許多大型公司和OEM廠商正在設計和交付基于氮化镓的産品。 正如氮化镓系統公司的 《 2021年功率電子學的頂級技術預測》中所預測的那樣,市場對氮化镓供電産品的需求和采用都在增長。 現在,新技術采用風險已被由于您未采用GaN而被抛在後面的風險所替代。

中国电源学会颁奖典礼 -“ GaN 系统杯” 2020 年获奖者揭晓

2021 年 1 月 6 日,加拿大安大略省渥太华– 氮化镓功率半导体行业的领导者加拿大氮化镓系统公司(GaN Systems)今天宣布了第六届“ GaN Systems Cup” (氮化镓系统杯)中国电源学会设计大赛的获奖名 单,并在于 2020 年 12 月 21 日举行的中国电源学会会议上举行了颁奖典礼。该竞赛挑战来自中国顶尖大 学的顶尖工程师团队,通过使用 GaN 功率晶体管来设计全新的或改进的电力电子系统。 六个工程团队因其 基于 GaN 的 AC / DC 转换器设计而获奖。 今年的竞赛项目是使用 GaN Systems 650V GS66502B 晶体管设计一个高效率和高功率密度双向 AC / DC 转换器。 系统技术要求和参数包括:400W 额定输出功率,220VAC 输入电压和 300-400VDC 输出 电压,同时在满载时双向效率达到 94%,功率密度不超过 30W / cm3,闭环控制,过电流 和过压保护功 能,并在 25∘C 的自然冷却下连续运行 30…

14支决赛队伍将参加2020年“ 氮化镓系统杯” 现场决赛

自从六年前创办以来,“氮华镓系统杯”中国电源学会(CPSS)设计大赛持续激发着电力电子行业的激情与创新。 自4月份参加比赛的35支队伍中,有14支队伍进入决赛。决赛和颁奖典礼将于2020年12月举行。 “氮化镓系统杯”是中国电力电子及相关专业的主要学生竞赛。多年来,竞赛汇集了来自顶尖大学的顶尖工程团队,以展示使用氮化镓功率晶体管的新型或改进型电力电子系统的可能性。 今年,团队面临的挑战是使用满足以下几个要求的氮化镓系统公司 650V GS66502B型晶体管来设计一种高效率,高功率密度双向AC / DC转换: 400W额定输出功率 220VAC输入电压和300-400VDC输出电压 满载时双向效率达到94%+ > 30W / cm3的功率密度 其他成本和性能因素 氮化镓技术已成为消费电子,数据中心,工业,汽车和可再生能源等行业电力系统中至关重要的部分,这些领域需要更高的效率,更大的功率和更好的性能。 进入最后一轮比赛的团队包括:北京交通大学,杭州电子科技大学,河海大学,黑龙江科技大学,华中科技大学,昆明科技大学,南京科技大学和上海海事大学,上海交通大学,西安交通大学,燕山大学(柳盟集团),浙江大学,中国科学院大学和重庆工业大学。 2020年“氮化镓系统杯”由加拿大氮化镓系统公司,CPSS和该组织的中国电源学会科学普及工作委员会,宁波西慈电子科技有限公司和Itech电子有限公司联合赞助,并由华中科技大学承办。 如需了解更多信息,请访问CPSS竞赛网站:http://www.cpss.org.cn/Home/NewsDetail?categoryName=首页宣传&newsid=127e28f8-f9a4-42d9-9f4c-32585baa053a 。

氮化镓系统公司发布一系列12V D类音频放大器参考设计来满足高性能音频需求

2020年7月28日,加拿大安大略渥太华 – GaN(氮化镓)功率半导体的全球领导者 氮化镓系统公司(GaN Systems) 今天发布了该公司的最新技术手册,标题为“使用GaN功率晶体管的12V高效音频参考设计”。 开发该技术手册是为了响应2020年5月广受好评的GaN Systems D类音频放大器评估套件的发布,以及系统设计工程师客户对12V市场中用于汽车,船舶,动力运动和其他电源应用的设计的日益增长的兴趣。 现在,从专业音响,家庭音响到便携音响的所有细分市场中,高质量音频都是“必不可少的”。 带有GaN的D类音频系统不仅更小,更轻,而且提供了更好的音质。 新技术手册使用氮化镓系统公司(GaN Systems) 的D类音频放大器评估套件为12V输入系统提供了几种放大器设计,其中包括2通道,每通道200W(8欧姆)D类音频放大器和配套的400W,连续功率音频等级的SMPS,其中包括: 单相和双相12V升压转换器设计既支持“直接” + 12V至+ 18V单轨电源,又支持“增强型” + 12V至+ 18V单轨电源配置。 直接+ 12V至+ 18V VIN电源至+/- 32V VOUT升压转换器设计支持“直接” + 12V至+ 18V VIN电源,并在保持所需音频性能的同时,对最佳的成本与功率输出进行了平衡。 在音频系统中,提供更多的功率和更多的通道通常意味着增大尺寸和重量,并牺牲声音质量。 借助氮化镓技术,设计人员可以在小型,轻巧的解决方案中提供更多的功率,更多的通道,更好的音质。 该技术手册以及上述D类放大器和电源套件以及白皮书 “观看,感受并聆听GaN D类放大器和配套 SMPS的与众不同” 可在gansystems.com上找到。

氮化镓系统 (GaN Systems)在2020年PCIM上展示了为何氮化镓会改变游戏规则

2020年6月30日,加拿大安大略省渥太华市– 氮化镓功率半导体的全球领导者氮化镓系统(氮化镓系统 (GaN Systems))今天宣布参加2020年7月7日至8日举行的“ PCIM欧洲数据展会”。首席执行官 Jim Witham将参加两个小组会议,“氮化镓器件-改变游戏规则”和“功率GaN:过去-现在-未来”,说明GaN功率半导体如何成为功率电子的基本组成部分。同时,该公司的技术专家们还将在活动中介绍关于GaN最重要的论文。另外,氮化镓系统 (GaN Systems)还将在其虚拟体验网站上展示其最新的解决方案,设计工具以及具有出色产品特性的产品,这些产品已经在消费类,工业,汽车和数据中心行业上获得了优势。 氮化镓系统 (GaN Systems)首席执行官Jim Witham表示:“尽管今年PCIM欧洲和以往有所不同,但全球电力电子界将再次汇聚在一起,交流关于行业趋势和技术的知识和想法。” “我们期待参与讨论,并强调GaN如何将自己确立为首选解决方案。” 演讲 日期 时间 演讲嘉宾 题目 2020年7月7日,星期二 12:00 — 12:45 PM CEST Jim Witham Power GaN: Past – Present – Future 2020年7月7日,星期二 2:00 — 2:10 PM CEST Jimmy Liu High Frequency Investigation of Wide Bandgap-Based PFC and LLC Converters in PSU 2020年7月8日,星期三…

氮化镓系统 (GaN Systems) named a Cool Vendor in the Gartner May 2020 Cool Vendors in Technology Innovation Through Power and Energy Electronics

OTTAWA, Ontario, May 28, 2020 – 氮化镓系统 (GaN Systems), the global leader in GaN (gallium nitride) power semiconductors, today announced the company has been recognized as a Cool Vendor in the May 2020 Cool Vendors in Technology Innovation Through Power and Energy Electronics report by Gartner, Inc, the world’s leading research and advisory company (Gartner…

基于 GaN 的高频 LLC 谐振变换器的设计考量

本文针对高频 LLC 谐振拓扑将氮化镓(GaN)功率器件与硅基超结 MOSFET(Si SJMOS)和碳化硅 MOSFET(SiC MOS)进行对比,评估了 GaN 功率器件在性能上的优势。文章首先比较了实现高效率和高功率密度 LLC 谐振变换器的关键器件参数。然后,对基于 GaN,Si 和 SiC 的 3KW LLC 的损耗和效率进行分析,最后定量得出结论:基于 GaN 的 LLC 具有明显性能优势, GaN 功率器件对于实现高密度和高效率 LLC谐振变换器具有重要的价值。 作者:加拿大 氮化镓系统 (GaN Systems), 刘学超 介绍 伴随着更高功率密度,更小尺寸和更高效率的明显趋势,高频 LLC 谐振变换器是工业隔离 DC / DC 拓扑的极佳解决方案,例如笔记本适配器(> 75W),1KW-3KW 数据中心电源和车载充电器(OBC)等。图 1 以半桥 LLC 谐振变换器拓扑电路为例,其开关频率分别为 100KHz 和 500KHz。在 500KHz 频率条件下,无源谐振元件(变压器,谐振电感器和谐振电容器)的尺寸大大减小,提高了功率密度。然而在高频条件下,需要考虑功率器件(Q1 和 Q2)的选型,以权衡效率和功率密度。 当前,GaN 功率器件技术已在市场上确立了成熟的地位和强劲的未来发展势头,尽管在硬开关应用中使用 GaN 可以显着提高效率,但在软开关拓扑中通常研究对比较少,文章将对基于…