氮化镓车载充电器将颠覆电动车设计 主要产品特色： 功率密度较采用碳化硅功率器件的设计提高36% 物料清单 (BoM) 成本较采用碳化硅功率器件的设计降低15% AC/DC 阶段最高转换效率 >99%；DC/DC 阶段最高转换效率 >98% 减少总功率耗损 优化热性能 我们如何做到？ GaN Systems 功率晶体管 通过严谨的 AEC-Q 及 AutoQual+ 质量及可靠度测试 镶嵌于拥有绝佳热性能的金属绝缘基板 (IMS) 三阶 PFC 结构 达自然平衡的小尺寸飞跨电容 与 SiC 相比：电感器成本降低 80%、体积减少 75%，整体功率密度提升 6 倍 三阶 DAB 结构 与 SiC 相比：变压器体积减少 40%、损耗降低 13%，整体功率密度提生 1.6 倍 与我们联系以获得更多信息。
GaN Systems 全球业务开发副总裁庄渊棋最近接受中国第三代半导体产业领先媒体与研究机构「行家说三代半」专访，针对「全球半导体产业的挑战与机会」、「第三代半导体的竞争格局与发展前景」等产业热门话题，解读当今产业态势，分析市场走向，并分享 GaN Systems 在新能源市场的布局。 2022 年半导体产业最火热关键词，莫属「缺货」和「地缘政治紧张」。庄渊棋认为，地缘政治因素将持续影响半导体产业，从各半导体大厂的投资扩厂计划便可看出，半导体产业将一摆过去集中于少数地区，而逐渐迈向区域化多元发展。另外，在市场修正下，半导体供不应求情形缓解，但部分应用芯片及器件将维持供不应求情形，包含功率器件及模拟 IC 交货仍较预期长。 随市场对更高性能、更高效率的电力电子产品的需求持续呈现指数增长，第三代半导体的应用边界持续地拓宽和深化。庄渊棋认为，第三类化合物半导体—碳化硅、氮化镓所具备之耐高温、耐大电压、快速作动等特性，相较于传统硅基功率组件，更可满足上述市场需求。无论是 GaN 或 SiC，分别有其甜蜜点，但在其交界边缘也存在一些重叠与竞争，客户将针对不同的产品特性及任务剖面 (Mission Profile)，选择最适合功率器件，举例来说，当开关频率超过 150KHz，GaN 的优势明显大于硅及 SiC。庄渊棋进一步指出，「 2023 年功率半导体供应链将更为活络，尤其在禁售内燃机引擎车辆的时程逐步逼近，我们认为化合物半导体在电动车的采用将加速，特别是 GaN 在车载充电器 (OBC) 的应用。」 GaN Systems 在新能源车、数据中心等高可靠性市场皆有领先业界的布局。在新能源车市场，GaN Systems 是唯一做出实绩的 GaN 功率器件公司，拥有沃玛 (Walmart)及美国陆军等客户的电动车新创公司 Canoo，其电动皮卡车 OBC 便是采用 GaN Systems 的功率晶体管设计。在数据中心市场， xFusion 超聚变采用 GaN Systems 功率晶体管所设计的服务器电源供应器，在功率密度上便达到 100W/in3，同时转换效率达 80 Plus 钛金等级 (96%)，能大幅降低数据中心营运成本。 电汽化 (Electrification) 、数字化 (Digitalization)及净零永续 (Sustainability) 三大全球趋势将持续加速氮化镓功率半导体产业成长及应用落地。尤其在新能源车市场，受惠于全球禁售燃油车政策与一线车厂积极投资下，电动车销量将持续急遽攀升，在俗称的电动车三电—车载充电器…
氮化镓系统公司与英飞凌科技股份公司共同新闻稿 英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）和氮化镓系统公司（GaN Systems）联合宣布，双方已签署最终协议。根据该协议，英飞凌将斥资 8.3 亿美元收购氮化镓系统公司。氮化镓系统公司是全球领先的科技公司，致力于为功率转换应用开发基于氮化镓的解决方案。该公司总部位于加拿大渥太华，拥有 200 多名员工。 英飞凌科技首席执行官 Jochen Hanebeck 表示：“氮化镓技术为打造更加低碳节能的解决方案扫清了障碍，有助于推动低碳化进程。氮化镓技术在移动充电、数据中心电源、家用太阳能逆变器和电动汽车车载充电器等领域的应用正处于关键拐点，将推动市场的蓬勃发展。对氮化镓系统公司的收购，再加上英飞凌自身强大的研发资源、对应用的深刻理解以及成熟的客户项目规划，将显著推进公司的氮化镓技术路线图。根据公司的战略，此次收购将进一步增强英飞凌在功率系统领域的领导地位。英飞凌同时拥有硅、碳化硅和氮化镓三种主要的功率半导体技术。” 氮化镓系统公司首席执行官 Jim Witham 表示：“氮化镓系统公司的团队很高兴能与英飞凌合作，实现优势互补，为客户提供高度差异化的产品。凭借双方在卓越解决方案领域的专业知识和技术专长，我们将充分发挥氮化镓技术的潜力。氮化镓系统公司的代工厂与英飞凌自身的制造能力相结合，将实现极大的产能增长，推动氮化镓技术在我们众多目标市场中的广泛普及。我对氮化镓系统公司迄今为止取得的成就深感自豪，并且非常期待与英飞凌携手开始书写新的篇章。英飞凌是一家技术实力非常深厚的集成器件制造商，能够帮助我们充分发挥自身潜力，再创辉煌。” 氮化镓是一种宽禁带材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其是在高频开关应用中能够发挥重要作用。凭借低能耗和小型化的优势，氮化镓器件的适用范围极广。据市场分析机构预测，氮化镓器件为功率应用创造的收入将以 56% 的复合年增长率（CAGR）增长，到 2027 年将达到 20 亿美元左右（信息来源：Yole，《复合半导体市场监测》 I 2022 年第四季度）。因此，氮化镓连同硅和碳化硅一起，配合混合反激（Hybrid Flyback）和多级实施等新型拓扑结构，正逐渐成为制造功率半导体的关键材料。2022 年 2 月，英飞凌宣布投资 20 多亿欧元，在马来西亚居林建设一座新的前道晶圆厂，以便扩大宽禁带材料产能，巩固其市场地位。第一批晶圆将于 2024 年下半年下线，届时，英飞凌的宽禁带材料制造能力将在现有奥地利菲拉赫工厂产能的基础上实现飞跃。 这一以“全现金”方式收购氮化镓系统公司的计划将使用现有的流动资金来完成。此次交易还需满足其他惯例成交条件，包括获得监管部门批准。 关于英飞凌 英飞凌是半导体解决方案的全球领导者，提供完整电源系统及物联网产品及解决方案，推动低碳化及数字化进程。该公司在全球有 56,200 位员工，上个财政年度 (2022) 营收达 €142 亿欧元。英飞凌在 法兰克福证券交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场OTCQX International Premier（股票代码：IFNNY）挂牌上市。 此篇新闻稿同步发布于英飞凌官网 https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/ 在社群平台追踪英飞凌最新消息：Twitter – Facebook –…
飞利浦SON-T系列17W & 26W LED灯采用氮化镓晶体管技术移除外置电源 加拿大渥太华 – 2021 年 10 月 28 日 – 氮化镓功率半导体全球领导者 GaN Systems 公司今天宣布，在飞利浦最新发布的包含17W和26W在内的 SON-T管状LED系列产品中，飞利浦采用了 GaN Systems 晶体管。此系列产品的创新性在于将基于氮化镓晶体管的电源，内置到LED灯泡的螺纹内，从而解决了传统玻璃工艺应用于高功率LED球泡灯驱动技术难题。最终呈现出一个低成本，大功率，高能效的LED解决方案。 受限于传统LED电源的功率密度，以往昕诺飞类似的电源内置产品，功率仅限于8~10W。为了将传统玻璃工艺应用于更高功率的球泡灯，昕诺飞采用了氮化镓器件替代传统的硅开关管。得益于氮化镓材料的高频特性，传统的AC/DC PFC电路尺寸可以缩小进E27的螺纹中，PFC线路采用了GaN Systems 公司的 (GS-065-004-1-L 和 GS-065-011-1-L). 除了氮化镓材料的高频特性，GaN Systems的先进技术以及贴片封装，也使得小型化以及高性能成为可能，更是突破了8~10W的功率瓶颈。基于氮化镓的电源具有如下特性： 更高的功率密度：通过提高AC/DC PFC线路的工作频率（200~900kHz），提升了电源的功率密度。 更高的效率能效：基于氮化镓晶体管的高频电源即使在高温环境下，也可以提供高达96%的稳定效率，进而提高球泡灯的发光能效。 紧凑的设计方案：内置的电源线路板直径仅为20mm，高度仅为15mm。不同于之前的外置电源，新方案的安装以及替换也都更便利。 节省空间和成本：与传统的硅方案相比较，氮化镓方案可以提供更小的尺寸以及更轻的重量，外围线路器件的尺寸也大幅缩减，进而降低了成本。 更长的产品寿命：内置电源的球泡灯，因为密封特性良好，防水防尘等级都有提高，产品的寿命周期也得到提升。 新系列SON-T LED球泡灯可以取代昕诺飞目前部分的高压钠灯，而且非常适合使用在道路照明，住宅照明，装饰照明，室内外的体育照明以及其他商用或工业场合。 GaN Systems 首席执行官 Jim Witham表示：“GaN Systems公司很荣幸可以和昕诺飞合作，共同推进LED市场的革新。此次合作也再次表明，氮化镓器件在不同应用领域的接受程度越来越高，也使得之前很多的“不可能”成为了“可能”。” 点击联系 GaN Systems ，以获取更多LED市场的应用信息。
总裁寄语 对于 GaN Systems 来说，这是一个激动人心的春季，在此期间有很多新闻和活动，市场也认识到氮化镓的优势和硅的局限性。 当今这个依靠数据、电气化和能源驱动的世界需要新版的电源设计—世界现在意识到它就是氮化镓。 GaN Systems 的晶体管用于音频公司的新型消费电子产品，例如最近推出市场的Syng，更加说明了这一点, 使用传统的硅的方法不可能实现这样的创新。 目前我们正处于一个 “再见， 硅；你好，氮化镓“ 的时代 – 而这也正是我最近在 VentureBeat 网站上发表的一篇新文章中的一个观点。 华尔街日报报道氮化镓技术 华尔街日报记者Christopher Mims 于 7 月发表了一篇关于氮化镓技术和电力电子的概述文章。 如今，氮化镓无疑获得了主流关注，因为它能够支持一系列新技术，从更快充电的手机到更轻的电动汽车，再到运行更节能的数据中心，我们日常使用的手机应用和服务都需要这样的数据中心。 Syng：用氮化镓带来全新的音频体验 Syng 由前 苹果公司设计师 Christopher Stringer 创立，他帮助开发了 Apple HomePod、iPhone 和 iPad。 该公司最近推出了 Cell Alpha Triphonic 扬声器，为家庭音频市场带来了新的热潮 – 一种高保真空间音响系统，以时尚、耐用和实用的设计提供清晰、细致和身临其境的声音。 Syng 设计工程师选择使用 GaN Systems 的 GS61004B 100V 和 GS-065-011-1-L 650V E-Mode 氮化镓…
最近有数码博主测评了一款飞利浦的新一代充电器，视频上传B站后反响热烈。 这款飞利浦 65W 充电器是飞利浦充电器的新一代产品，功能和性能提升明显。 它结构紧凑，但提供更高的功率和更短的充电时间——所有这些因素对消费者都很重要，也凸显了为什么 氮化镓 已成为电源适配器和充电器的首选技术。 该充电器采用现代六边形设计，包括三个交流电源插座和三个 USB 端口（两个 USB-C 和一个 USB-A），使其成为可以替代多个充电器的“一体式”设备。 性能测试表明，它可以同时为三台数码设备充电，同时也可以为三台220V设备供电。 在适配器和充电器电路设计中使用氮化镓功率半导体可使设备更轻，并且尺寸可缩小 5 倍。 飞利浦充电器的尺寸为 61x65X65 毫米，比传统解决方案小 75%。 虽然在消费市场促销中大家不太关注，但温度和稳定性等因素对制造商来说至关重要。 这款飞利浦充电器的性能报告显示，充电器的最高温度远低于标准要求。 为了实现高性能和功率密度，飞利浦充电器使用了 GaN Systems 生产的 650V 氮化镓功率晶体管 (GS-065-011-1-L)。 这种高性能、低成本的 FET 采用小型 5×6 毫米 PDFN 封装，提供低结壳热阻，从而实现超高开关频率和效率输出。 通过将 GaN Systems EZDrive™ 方案与安森美半导体 NCP1342 控制器相结合，简化了充电器电源设计，避免了“双驱动”，并实现了低成本。 有关 GaN Systems 及其 65W 和 100W 充电器参考设计的更多信息, 请点击相关蓝色链接查看。 相关视频：
完整全面的参考设计使消费电子公司能够快速设计并推出更小巧，功能更强大，更高效的氮化镓充电器 安大略省渥太华市，2021年3月18日-GaN（氮化镓）功率半导体的全球领导者GaN Systems（氮化镓系统）公司今天发布业界最小的 100W双USB-C智能PD 氮化镓充电器。该完整的解决方案领先于市场上任何100W多口充电器产品，其实现了最高的功率密度以及智能化工作。该充电器可以支持从单口100W设备，到支持两口65W和30W设备或两口45W或30W设备，从而适时地为各种插入设备功率级别组合供电。此外，当功率低于某个阈值时，该充电器方案会切换到更高效率的模式，以进一步提高性能并减少自身损耗。 充电器参考设计现已通过GaN Systems发布，其中包括完整样机和设计文档（原理图，PCB布局，BOM和设计指南），以缩短产品设计周期并加快充电器产品发布速度。 100W充电器参考设计使用GaN Systems的 GS-065-011-1-L 氮化镓晶体管，具有以下关键特征和出色的性能： 超高功率密度：> 16W/in3，带有外壳和可折叠输入插脚 灵活智能的配电：双USB-C端口支持通用USB-C协议和灵活的插入式终端设备 峰值效率：>92.5％， 超过EN55032 B类，余量>6dB 符合安全IEC62368-1触摸温度要求 带功率因数校正（PFC）电路并满足IEC61000-3-2的电力线谐波要求 GaN Systems首席执行官Jim Witham表示： “很多消费者已经表明他们需要氮化镓 (GaN)充电器。从最初只有65瓦，到现在大家都希望更大功率多个端口100瓦充电器。我们的方案是性能最佳，最智能，最小的充电器设计，这些都已经得到很多领先客户验证。同时参考设计可以使客户的最终产品达到最优性能并在市场上创下记录。”
当我们即将告别 2020 年的最后一个季度时，我脑海中浮现出三个词来形容 这刚刚过去的一年，它们是颠覆性，韧性和创新性。 Covid-19 大流行加速了 每个行业(从供应链到实验室运营)的前所未有的颠覆性浪潮。 每个公司都 必须做出反应，将重点放在增强韧性上，同时继续创新并将重要的新产品推 向市场。这在 氮化镓系统公司(GaN Systems)也得到体现，我们欣慰地看 到氮化镓晶体管的使用已从早期的小众产品跃升为被各行业接受的主流产品- 我相信这一转变将在 2021 年继续加速。 新产品，设计工具和参考设计 在过去的 90 天内，氮化镓系统公司(GaN Systems)推出了四个新的电源模 块评估套件: 100V 驱动器 GaN –集成式 DC / DC 功率级模块 650V 150A 半桥 IPM 650V 150A 全桥模块和驱动器 650V 300A 三相 GaN 电源模块和驱动器 以及面向汽车市场的下一代 650V 晶体管。 新模块的设计易于使用，并可以 在大功率应用中评估其性能，例如牵引逆变器，工业电机，储能系统，PV 逆 变器以及各种低功率板和砖式电源。 650V 晶体管是我们面向汽车市场的下 一代 650V，60A 晶体管系列中的第一款产品，旨在满足汽车可靠性标准，包 括…
自从六年前创办以来，“氮华镓系统杯”中国电源学会（CPSS）设计大赛持续激发着电力电子行业的激情与创新。 自4月份参加比赛的35支队伍中，有14支队伍进入决赛。决赛和颁奖典礼将于2020年12月举行。 “氮化镓系统杯”是中国电力电子及相关专业的主要学生竞赛。多年来，竞赛汇集了来自顶尖大学的顶尖工程团队，以展示使用氮化镓功率晶体管的新型或改进型电力电子系统的可能性。 今年，团队面临的挑战是使用满足以下几个要求的氮化镓系统公司 650V GS66502B型晶体管来设计一种高效率，高功率密度双向AC / DC转换： 400W额定输出功率 220VAC输入电压和300-400VDC输出电压 满载时双向效率达到94％+ > 30W / cm3的功率密度 其他成本和性能因素 氮化镓技术已成为消费电子，数据中心，工业，汽车和可再生能源等行业电力系统中至关重要的部分，这些领域需要更高的效率，更大的功率和更好的性能。 进入最后一轮比赛的团队包括：北京交通大学，杭州电子科技大学，河海大学，黑龙江科技大学，华中科技大学，昆明科技大学，南京科技大学和上海海事大学，上海交通大学，西安交通大学，燕山大学（柳盟集团），浙江大学，中国科学院大学和重庆工业大学。 2020年“氮化镓系统杯”由加拿大氮化镓系统公司，CPSS和该组织的中国电源学会科学普及工作委员会，宁波西慈电子科技有限公司和Itech电子有限公司联合赞助，并由华中科技大学承办。 如需了解更多信息，请访问CPSS竞赛网站：https://www.cpss.org.cn/Home/NewsDetail?categoryName=首页宣传&newsid=127e28f8-f9a4-42d9-9f4c-32585baa053a 。
摘要： 氮化鎵成爲電子行業的熱門技術，圍繞氮化鎵的產品、可靠性和解決方案是目前業界關注焦點。本文將探討充電器的技術發展趨勢和氮化鎵(GaN)功率器件在高功率、小型化需求下的巨大市場前景，然後從器件性能、可靠性和解決方案三個方面表明氮化鎵系統 (氮化镓系统 (GaN Systems)) 公司爲終端客戶提供更低成本、更高可靠性和更完整的氮化鎵功率器件產品及系統解決方案。 1. 市場前景 2020年是消費類充電器特別是快充市場快速發展的重要年份，隨著市場不斷成熟和趨勢日益明確，消費者對小尺寸和大功率快速充電器需求越來越大，市場前景巨大。其中兩個重要技術指標就是高功率密度和高效能。高功率密度體現在同一額定功率下的小體積，而高效能體現在節能環保和更低的工作溫度上。氮化鎵器件由於具有極高的開關速度、同一晶圓下的小通態電阻，使得更高效能和更高開關頻率快速充電成爲可能。2020年内置氮化鎵器件的快充技術進入快速發展階段，根據行業調查顯示，作爲消費類電子風向標的手機行業中，目前已經有華爲，小米，OPPO等多個知名品牌推出了基於氮化鎵快充產品。電商方面，更有多達20家品牌先後推出氮化鎵基快充產品。 圖一總結了兩個主要功率段下充電器的主要電路和功率密度以及效能指標要求。對於75W以下（30W-65W）充電器，目前主要電路為單端准諧振（Quasi-Resonant, QR）反激或有源箝位反激（Active Clamp Flyback, ACF）兩種電路。最高效能指標要求接近94%，功率密度要求20W/in3。高於75W（100W-300W）充電器，目前基本采用兩級電路方案，前級是功率因數校正電路（PFC）后級為LLC諧振或其他隔离DC/DC電路。目標最高效能要求達到95%，功率密度要達到22W/in3以上。與傳統矽(Si)基功率器件相比，新材料的氮化鎵器件具有更高的性能，為充電器特別是快充產品的小型化和高效能帶來可能。 2. 氮化鎵器件與矽基器件的比較 氮化鎵器件由於其寬禁帶特點，它的主要優勢在於高開關速度和低開關損耗上，另外對於同一晶圓大小的功率器件，氮化鎵功率器件具有低於矽基器件的通態電阻。系統層面可以帶來更高效能，更低工作溫度和更小體積，因此非常適用於小體積、高功率密度的充電器產品設計。表一總結了已量產的氮化鎵功率器件與目前市場上最優的矽基MOSFET的比較。可以看到，氮化鎵器件在具有較低的通態電阻下，同時兼具更低的驅動電荷Qg、漏柵極電荷Qgd和輸出能量Eoss，使得高頻率高效能成爲可能。 圖二是典型的准諧振(QR)反激電路拓撲，由於它的低成本和較高可靠性，多用於充電器電路中。在該電路中爲了提高充電器的功率密度，一個直接的方法就是增大開關頻率來降低變壓器等元件的尺寸。然而提高開關頻率以後必然帶來額外的器件開關損耗和溫升。QR反激電路主要有兩個與開關頻率相關的損耗，頻率越高相應損耗越大： 在功率器件關斷瞬間原邊電流達到峰值電流，功率器件在硬關斷過程關閉，存在電壓電流交曡的關斷損耗。它可以由器件驅動電荷Qg和漏柵極電荷Qgd參數來評價。 在器件開通時刻，由於此時電流基本為零，因此不存在開通電壓電流交曡開關損耗，但QR反激電路在高壓交流電壓輸入(230Vac)條件下器件開通瞬間漏源極電壓並不為零，所以存在由於内部寄生電容放電產生的放電損耗。它可以由寄生電容對應的輸出能量Eoss參數來評價。 評價一個功率器件特性重要指標是品質因數(Figure Of Merit，FOM)，它綜合評估器件的通態和開關特性，越小的FOM代表越優的器件性能。其中 Input FOM表明了器件在同等通態電阻下器件的開關過程中電壓電流交曡損耗，它是硬開關電路評估器件的最重要指標，例如QR反激電路的關斷損耗就可以用這個指標來比較。如圖三所示，在相近通態電阻（50-60毫歐）條件下，氮化鎵器件的漏柵極電荷Qgd僅爲矽基器件的6%，導致開關過程中氮化鎵器件電壓電流交曡損耗遠小於矽基器件，約爲矽基器件的五分之一。 QR Flyback FOM表明QR反激電路中在同等通態電阻下器件在200V下寄生電容產生的放電損耗，這裏電壓條件為200V是因爲，當輸入交流電壓為高壓230Vac條件下，QR反激電路功率器件漏源極電壓約爲200V條件下開通，將在此條件下產生寄生電容影響的開通損耗。圖四可以看到，在相近的通態電阻下，氮化鎵器件的Eoss僅爲矽基器件的60%左右，導致開通電容放電損耗遠低於業界最好的矽基器件。 因此總結表一和上面分析：氮化鎵器件在各方面器件性能上均優於矽基MOSFET器件，適用於高頻化高效應用，實現最佳性能。 3. 氮化鎵產品及可靠性 作爲一位研發工程師，在研發充電器產品時主要關注以下三個方面：第一是產品的可靠性，代表器件在產品壽命中具有高的可靠性和低的失效率，滿足產品的設計壽命；第二是低成本，除了器件自身成本以外，還需要考慮整體的BOM成本和生產成本；第三是產品能夠快速推向市場，縮短產品設計周期。 氮化镓系统 (GaN Systems)一直致力於優秀氮化鎵功率器件的研發和生產。目前已經擁有業界最全產品覆蓋範圍，最高工作電流和最優封裝的氮化鎵產品綫。其中針對快充市場推出了650V 5×6毫米 PDFN封裝的氮化鎵器件，通態電阻從150毫歐（GS-065-011-1-L）到450毫歐（GS-065-004-1-L），它可以用於30W到300W的充電器產品中。 在可靠性方面，氮化镓系统 (GaN Systems)嚴格按照超過JEDEC標準的產品認證流程，表二給出了部分測試高於JEDEC標準的測試項目和延長測試時間的倍數，同時基於氮化鎵器件自身特性還增加了多個額外可靠性測試項目，比如高溫開關動態壽命測試。這樣可以保證氮化鎵產品的可靠性和長工作壽命。圖五比較了氮化镓系统 (GaN Systems)氮化鎵器件與同類氮化鎵器件在准諧振(QR)和有源箝位反激（ACF）兩種電路的失效率，該失效率數據是居於業界通用方法，在實測高溫高壓數據下通過韋伯圖（Weibull Plot）得到相關加速因子，進而預測出在實際產品工作壽命下的失效率。可以得出結論 4. 帶EZDrive電平轉換電路的氮化鎵驅動方案 對於增强型氮化鎵器件驅動，開通推薦電壓為6V左右，關斷推薦電壓可以為0V到-10V，而傳統的帶驅動的充電器控制IC輸出驅動電壓一般為12V，因此爲了和控制IC的驅動電壓配合，需要進行驅動電壓的電平轉換。爲此氮化镓系统 (GaN Systems)提出了低成本的EZDrive電平轉換電路，如下圖所示，通過簡單的四個小分離元件（RUD, CUD, ZDUD1和ZDUD2）實現了驅動電壓的轉換，采用該電路后氮化鎵器件驅動實測波形VGS沒有任何過冲和干擾振蕩。 采用EZDrive電平轉換電路配合氮化鎵器件驅動的另一個優勢在於其驅動電阻Ron和Roff外置，如圖七所示，可以通過驅動電阻來控制漏源極驅動電壓斜率dv/dt進而優化EMI設計。和其他單晶片集成驅動GaN方案相比，氮化鎵器件加上EZDrive電平轉換電路具有更強的靈活性，並充分利用控制IC内部集成的驅動實現了低成本驅動氮化鎵器件，同時由於驅動電阻外置，可以控制開關dv/dt斜率進而優化電磁干擾（EMI）設計。…
