新的半桥子卡采用瑞萨电子的氮化镓 FET驱动器

氮化镓功率半导体的全球领导者GaN Systems公司今天宣布发布两款650V半桥子卡(30A和60A),它们提供了一种用于评估氮化镓驱动器和晶体管的超多功能平台。 评估板提供两种功率级别,最高3kW(GS-EVB-HB-66508B-RN)和最高6kW(GS-EVB-HB-66516T-RN),并包含瑞萨电子(Renesas)RAA226110低侧氮化镓 FET驱动器 。 这些卡是业界首款提供具有可调阈值和可编程源电流的可编程过流保护功能,以实现可调节的导通压摆率的产品。

氮化镓系统公司 (GaN Systems Inc.) 的战略营销副总裁Paul Wiener先生表示: “氮化镓晶体管已经成为电力电子技术的基本组成部分。 瑞萨电子推出的具有同类产品中最佳功能与性能的低侧氮化镓 FET驱动器,证实了氮化镓晶体管已成为电源设计工程师的首选工具。”

“瑞萨致力于开发支持氮化镓晶体管的创新功率产品。” 瑞萨电子工业与通信业务部副总裁菲利普·切斯利先生如是说: “一个例子就是我们的新型RAA226110低侧氮化镓FET驱动器,它提供了客户说需要的高性能驱动器的所有功能。”


这些功率级设计用途广泛:它们可用于企业级1U电源(最高5kW),高功率密度无桥图腾柱PFC,PV逆变器,能量存储系统,电机驱动器以及汽车DC / DC转换器和 车载充电器等。

这些评估板的特点是设计灵活,简洁并提供独特的性能。 它们与GaN Systems公司的主板配合使用时可实现轻松设置和即插即用。 该评估卡还具有2MHz fSW的集成VGS调节功能和一些独特的性能,例如具有40mV / 80mV / 120mV可调阈值的可编程过流保护和差分电流感应以及用于可调导通的可编程电源电流 压摆率(0.3A,0.75A或2A)。

如需了解有关这些评估卡的更多信息,请访问氮化镓系统公司官网;有关瑞萨电子RAA226110的信息可以通过访问renesas.com/RAA226110获得。