GaN Systems发布针对功率应用的最高功率密度3kW LLC参考设计
氮化镓功率半导体的全球领导者GaN Systems今天推出了一种新的参考设计，用于基于氮化镓的高密度，高效率3kW LLC谐振转换器（GS-EVB-LLC-3KW-GS），旨在减少设计开发数据中心，电信和工业开关模式电源（SMPS）等应用的公司的开发周期，成本和上市时间。
GaN Systems的3kW LLC参考设计实现了世界一流的功率密度和效率性能。
全桥LLC谐振转换器设计集成了GaN Systems的650 V E-模式晶体管，超过了电源单元的80 PLUS Titanium标准，实现了高于100W / 立方英寸的高功率密度（AC / DC PSU），以及更高的效率。 超过96％。
3kW LLC的主要优点和功能包括：
- 高密度：高达146W / 立方英寸（包括强制风冷）
- 高效率：峰值效率> 98％
- 体积小：高度小于30mm，并符合薄型1U数据中心尺寸
- 高开关频率，最高可达450 KHz
- 电流，短路和过压系统保护
数据中心对功率密度和效率指标要求越来越高，要求在更小的占位面积上提供更多的功率；新的法规政策，例如欧盟的“ Lot 9” 2023法案，对供电和供电相关的数据中心基础架构和能源效率提出了要求。 业界还在从“每瓦特美元”值向“每密度美元”值过渡，其中密度是电源大小和功率的度量。 使用氮化镓的较小电源可以在同一机架空间中增加更多的存储和内存，从而无需建立更多的数据中心即可增加数据中心的容量。
