Simpler ACF GaN charger design enabled by GaN Systems high performance transistor and innovative Silanna Semiconductor controller.

全球领先的氮化镓功率半导体厂商氮化镓系统公司(GaN Systems) 今天宣布与Silanna 半导体公司合作,推出了一款 基于氮化镓的最高功率密度、高效率的65W有源箝位反激式(ACF)充电器的新参考设计。该参考设计现已在Silanna 半导体公司上市,为ACF USB-C PD 氮化镓充电器提供了一个简单的设计,为客户缩短了设计周期和产品上市时间。

该解决方案消除了ACF拓扑设计的困难,因为ACF拓扑设计通常在高侧和低侧配置两个晶体管。新的充电器参考设计采用Silanna 半导体公司的SZ1130 ACF PWM控制器和氮化镓系统公司的 GS-065-008-1-L 650V GaN功率晶体管,将高侧FET集成到控制器中。这种设计通过在二次侧使用传统的RM8变压器和100V SR MOSFET,降低了BoM成本。

主要优点和特点:

  • 超高的密度: 30W/in^3无机箱
  • 高效率:峰值效率 >94%。
  • 低温:<95◦C 最高元器件温度
  • 更好的EMI设计:清晰的波形,几乎没有电压尖峰或振铃。
  • 支持广泛的应用:5V/3A、9V/3A、15V/3A和20V/3.25A输出电压;USB-PD。

“Silanna半导体公司是另一个成功案例,他们非常适合65W ACF设计,该公司认识到氮化镓对电源工程师的重要性日益增加,并开发出创新性解决方案,”氮化镓系统公司首席执行官Jim Witham说,”随着氮化镓成为整个市场的标准构件,我们很高兴看到这个生态系统继续发展。”

欲了解更多信息或购买,请访问cn.gansystems.com或Silanna 半导体公司网站,网址为 www.powerdensity.com.