在线研讨会: 图腾柱PFC和LLC转换器中的GaN性能优势

该网络研讨会将GaN E-HEMT与具有无桥图腾柱PFC和LLC谐振转换器拓扑的电源单元(PSU)中的硅和SiC MOSFET进行了比较。 该演讲得出的结论是,GaN E-HEMT解决方案比SiC具有更高的效率,并且功率密度比传统的基于Si的PSU设计高40%。

在此网络研讨会中,您将学到
与Si和SiC相比,GaN的关键晶体管参数优势
GaN基电源单元(PSU)的效率和功率密度优势
基于GaN的高开关频率(200KHz的CCM图腾柱PFC和500KHz的LLC)的系统设计注意事项
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