| 产品号 | GS66508T-EVBDB2 |
|---|---|
| 下载 | 用户手册 原理图 Gerber设计文件 |
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已停产
评估板：GS66508T-EVBDB2
650 V GaN E-HEMT子板
本产品需要搭配母板（GS665MB-EVB）
GS66508T-EVBDB子板由两个氮化镓系统 (GaN Systems) 650V 增强型氮化镓晶体管（产品号GS66508T）和所有必需的电路组成，包括半桥门极驱动器，隔离电源和可选散热器，以形成功能半桥功率级。 它允许用户轻松评估任何半桥拓扑中的GaN E-HEMT性能，无论是通用母板还是用户自己的系统设计。
- 作为参考设计和评估工具以及易于进行系统评估的解决方案
- 垂直安装样式，高度为35mm，适用于大部分1U设计，允许在传统直插式电源电路板中评估GaN E-HEMT
- 预留电流传感器位置用于开关特性测试
- 通用外形尺寸和占板面积适用于所有产品
给高速GaN器件驱动的带有Broadcom的ACPL-P346门极驱动光耦
