档案：评估板和参考设计
评估板清单已经被更新
| 描述 | 评估板 |
|---|---|
| 基于650 V GaN E-HEMT的子板 2 kW | |
| 基于650 V GaN E-HEMT的子板 2.5 kW | |
| 基于650 V GaN E-HEMT的子板 750 W | |
| 基于650 V GaN E-HEMT的子板 1.5 kW | |
| 双通道200Wx2 Class D 音频功放及其400W 电源评估板 | GS-EVB-AUD-BUNDLE1-GS |
| 30A 50mΩ 非隔离半桥驱动评估板-ONsemi | GS-EVB-HB-66508B-ON1 |
| 30A 50mΩ 过流保护半桥驱动氮化镓子板参考设计 – Renesas | GS-EVB-HB-66508B-RN |
| 100V，具有高频GaN驱动器的GaN E-HEMT降压转换器 | GS61008P-EVBHF |
| 可配置12种不同拓扑的大功率主板 | GSP65MB-EVB |
| —带驱动半桥IMS板; 650 V, 25 mΩ, 2-4 kW | GSP65R25HB-EVB |
