档案:评估板和参考设计
评估板清单已经被更新
评估板 | 改版 | 描述 | 功率等级 | 使用的器件 |
---|---|---|---|---|
1 | 基于650 V GaN E-HEMT的子板 | 2 kW | GS66508T | |
1 | 基于650 V GaN E-HEMT的子板 | 2.5 kW | GS66516T | |
1 | 基于650 V GaN E-HEMT的子板 | 750 W | GS66502B GS66504B | |
1 | 基于650 V GaN E-HEMT的子板 | 1.5 kW | GS66508B |
评估板清单已经被更新
评估板 | 改版 | 描述 | 功率等级 | 使用的器件 |
---|---|---|---|---|
1 | 基于650 V GaN E-HEMT的子板 | 2 kW | GS66508T | |
1 | 基于650 V GaN E-HEMT的子板 | 2.5 kW | GS66516T | |
1 | 基于650 V GaN E-HEMT的子板 | 750 W | GS66502B GS66504B | |
1 | 基于650 V GaN E-HEMT的子板 | 1.5 kW | GS66508B |
基于650 V GaN E-HEMT的子板: 改版 1
老版本子板(GS66508T-EVBDB)背后有氮化镓系统 (GaN Systems)的商标,请参考下列文件。
需要母版(GS665MB-EVB)
GS66508T-EVBDB 半桥子板包含两颗650V 增强型氮化镓器件(GS66508T),以及所需的驱动、辅助隔离电源和备用的散热器。使用者可以通过氮化镓系统 (GaN Systems)的母版(GS665MB-EVB)或者自行设计的系统板来评估GaN半桥电路在不同拓扑中的特性。
基于650 V GaN E-HEMT的子板: 改版 1
老版本子板(GS66508T-EVBDB)背后有氮化镓系统 (GaN Systems)的商标,请参考下列文件。
需要母版(GS665MB-EVB)
GS665016T-EVBDB 半桥子板包含两颗650V 增强型氮化镓器件(GS665016T),以及所需的驱动、辅助隔离电源和备用的散热器。使用者可以通过氮化镓系统 (GaN Systems)的母版(GS665MB-EVB)或者自行设计的系统板来评估GaN半桥电路在不同拓扑中的特性。
基于650 V GaN E-HEMT的子板: 改版 1
需要母版(GS665MB-EVB)
GS66504B-EVBDB 半桥子板包含两颗650V 增强型氮化镓器件(GS66504B),以及所需的驱动、辅助隔离电源和备用的散热器。使用者可以通过氮化镓系统 (GaN Systems)的母版(GS665MB-EVB)或者自行设计的系统板来评估GaN半桥电路在不同拓扑中的特性。
基于650 V GaN E-HEMT的子板: 改版 1
需要母版(GS665MB-EVB
GS66508B-EVBDB 半桥子板包含两颗650V 增强型氮化镓器件(GS66508B),以及所需的驱动、辅助隔离电源和备用的散热器。使用者可以通过氮化镓系统 (GaN Systems)的母版(GS665MB-EVB)或者自行设计的系统板来评估GaN半桥电路在不同拓扑中的特性。