档案：评估板和参考设计

评估板清单已经被更新

评估板	改版	描述	功率等级	使用的器件
GS66508T-EVBDB	1	基于650 V GaN E-HEMT的子板	2 kW	GS66508T
GS66516T-EVBDB	1	基于650 V GaN E-HEMT的子板	2.5 kW	GS66516T
GS66504B-EVBDB	1	基于650 V GaN E-HEMT的子板	750 W	GS66502B GS66504B
GS66508B-EVBDB	1	基于650 V GaN E-HEMT的子板	1.5 kW	GS66508B

评估板: GS66508T-EVBDB

基于650 V GaN E-HEMT的子板: 改版 1

老版本子板（GS66508T-EVBDB）背后有氮化镓系统 (GaN Systems)的商标，请参考下列文件。

需要母版（GS665MB-EVB）

GS66508T-EVBDB 半桥子板包含两颗650V 增强型氮化镓器件(GS66508T)，以及所需的驱动、辅助隔离电源和备用的散热器。使用者可以通过氮化镓系统 (GaN Systems)的母版（GS665MB-EVB）或者自行设计的系统板来评估GaN半桥电路在不同拓扑中的特性。

基于650 V GaN E-HEMT的子板: 改版 1

老版本子板（GS66508T-EVBDB）背后有氮化镓系统 (GaN Systems)的商标，请参考下列文件。

需要母版（GS665MB-EVB）

GS665016T-EVBDB 半桥子板包含两颗650V 增强型氮化镓器件(GS665016T)，以及所需的驱动、辅助隔离电源和备用的散热器。使用者可以通过氮化镓系统 (GaN Systems)的母版（GS665MB-EVB）或者自行设计的系统板来评估GaN半桥电路在不同拓扑中的特性。

基于650 V GaN E-HEMT的子板: 改版 1

需要母版（GS665MB-EVB）

GS66504B-EVBDB 半桥子板包含两颗650V 增强型氮化镓器件(GS66504B)，以及所需的驱动、辅助隔离电源和备用的散热器。使用者可以通过氮化镓系统 (GaN Systems)的母版（GS665MB-EVB）或者自行设计的系统板来评估GaN半桥电路在不同拓扑中的特性。

基于650 V GaN E-HEMT的子板: 改版 1

需要母版（GS665MB-EVB

GS66508B-EVBDB 半桥子板包含两颗650V 增强型氮化镓器件(GS66508B)，以及所需的驱动、辅助隔离电源和备用的散热器。使用者可以通过氮化镓系统 (GaN Systems)的母版（GS665MB-EVB）或者自行设计的系统板来评估GaN半桥电路在不同拓扑中的特性。