档案:评估板和参考设计

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描述评估板
基于650 V GaN E-HEMT的子板 2 kWGS66508T-EVBDB
基于650 V GaN E-HEMT的子板 2.5 kWGS66516T-EVBDB
基于650 V GaN E-HEMT的子板 750 WGS66504B-EVBDB
基于650 V GaN E-HEMT的子板 1.5 kWGS66508B-EVBDB
双通道200Wx2 Class D 音频功放及其400W 电源评估板GS-EVB-AUD-BUNDLE1-GS
30A 50mΩ 非隔离半桥驱动评估板-ONsemiGS-EVB-HB-66508B-ON1
30A 50mΩ 过流保护半桥驱动氮化镓子板参考设计 – RenesasGS-EVB-HB-66508B-RN
100V,具有高频GaN驱动器的GaN E-HEMT降压转换器GS61008P-EVBHF
可配置12种不同拓扑的大功率主板GSP65MB-EVB
—带驱动半桥IMS板; 650 V, 25 mΩ, 2-4 kWGSP65R25HB-EVB
60A 25mΩ 光耦半桥驱动氮化镓子板 – BroadcomGS66516T-EVBDB2
60A 25mΩ过流保护半桥驱动氮化镓子板 – RenesasGS-EVB-HB-66516T-RN
300W PFC/LLC AC/DC 评估版GS-EVB-ACDC-300W-ON