产品号 | GS-065-030-2-L |
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VDS | 650 V |
IDS | 30 A |
RDS(on) | 50 mΩ |
QG | 6.7 nC |
尺寸(MM) | 8 x 8 x 0.9 |
散热 | 底部 |
GS-065-030-2-L
650V增强型氮化镓晶体管
GS-065-030-2-L是增强型硅基氮化镓功率晶体管。氮化镓的特性允许大电流,高电压和高开关频率。氮化镓系统 (GaN Systems) 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GS-065-030-2-L是一款底部冷却晶体管,采用 8×8 毫米 PDFN 封装,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。
- 650 V 增强型功率器件
- 底部散热, 小尺寸 8×8 mm PDFN 封装
- RDS(on) = 50 mΩ
- IDS(max) = 30 A
- 简易门极驱动条件 (0 V to 6 V)
- 门极驱动瞬态电压裕量 (-20 / +10 V)
- 超高开关频率(> 1 MHz)
- 高速开关, 可控的开通关断时间
- 双栅极驱动 便于优化布局和并联
- 反向导通能力
- 零反向恢复损耗
- 兼容 RoHS 3 (6+4)
- 无桥图腾柱PFC
- 消费类、工业和数据中心高密度电源
- 大功率适配器
- LED 照明驱动器
- 家用、工业电机驱动器
- 太阳能逆变器
- 不间断电源
- 激光驱动器
- 无线电力传输
评估板
- GS-EVB-LLC-3KW-GS: 3KW High Efficiency LLC Reference Design
- GS-EVB-AUD-BUNDLE2-GS: 双通道 D类音频放大器配400W开关电源评估板