GS61008P-EVBHF有助于在高性能DC / DC同步降压环境中评估我们的GaN E-HEMT。

专为在高开关速度下实现最佳性能而设计，适用于更小物理尺寸，轻重量和低成本的应用开发的平台。 目标应用包括D类放大器，DC-DC转换，AC-DC转换，无线充电和激光雷达。

• 通用GaN半桥，开环控制
• 世界上最快的开关时间， < 1ns
• 死区时间控制，独立Vcc
• 100V / 90A，7mΩ GaN E-HEMT
• 高速GaN驱动器，能够达到40MHz