评估板:GS61008P-EVBHF

100V,具有高频GaN驱动器的GaN E-HEMT降压转换器

GS61008P-EVBHF有助于在高性能DC / DC同步降压环境中评估我们的GaN E-HEMT。

专为在高开关速度下实现最佳性能而设计,适用于更小物理尺寸,轻重量和低成本的应用开发的平台。 目标应用包括D类放大器,DC-DC转换,AC-DC转换,无线充电和激光雷达。

  • 通用GaN半桥,开环控制
  • 世界上最快的开关时间, < 1ns
  • 死区时间控制,独立Vcc
  • 100V / 90A,7mΩ GaN E-HEMT
  • 高速GaN驱动器,能够达到40MHz