产品号GS66516T-EVBDB2
下载用户手册
原理图
Gerber设计文件
浏览老版本视图

评估板:GS66516T-EVBDB2

650 V GaN E-HEMT子板

本产品需要搭配母板(GS665MB-EVB)

GS66516T-EVBDB子板由两颗GaN Systems的650V GaN E-HEMT(产品型号GS66516T)以及所需电路组成,里面包括半桥式栅极驱动器、隔离电源、可选散热片。这些器件组成一个完整功能的半桥功率级。该子板便于用户使用通用母板或自己设计的系统,轻松评估任意半桥拓扑的GaN E-HEMT性能。

  • 可用作参考设计、评估工具,以及便于内部系统评估的完善方案
  • 垂直安装,高度为35mm,适用于大多数1U设计,并且可用在传统通孔式电源板进行GaN E-HEMT评估
  • 预留分流器位置,用于测试开关特性
  • 适用于所有产品的通用形状和针脚定义

该子板与博通公司合作制造,配备可驱动高速氮化镓晶体管的ACPL-P346栅极驱动光耦。