GaN Systems 推出性能更高、成本更低的全新晶体管

GaN Systems 是氮化镓功率半导体的全球领导者，今天在业界最广泛的 氮化镓功率晶体管产品组合中又推出了两款新晶体管；该晶体管采用行业标准的 8×8 毫米 PDFN 封装。 GS-065-011-2-L 使用户能够降低 45W 至 150W 应用中每瓦功率的成本，而 GS-065-030-2-L 是市场上第一款使设计人员能够在高达 3,000W 功率水平的应用中发挥低成本氮化镓优势的产品。 这些新部件是 GaN Systems 公司低成本 氮化镓晶体管系列中的最新成员，它们使设计人员能够进一步提高在能效、热管理和功率密度方面的性能，并提高设计灵活性和成本效益，以满足消费者、工业领域和数据中心客户的新需求。

这些新型晶体管具有更低的导通电阻、更高的稳健性和热性能、更高的 VDS（瞬态）额定值以及可简化客户采用、可扩展性和商业化的行业标准外形。

GS-065-011-2-L 是一款 650 V、11 A、150 mΩ 底部冷却晶体管，非常适合充电器和适配器等消费电子应用，这包括受益于晶体管更好的热性能的更高功率适配器的设计。 GS-065-030-2-L 是一款 650 V、30A、50 mΩ 底部冷却晶体管，具有 GaN Systems 的 PDFN 产品系列中最低的 RDS(on)。 更低的 RDS(on) 意味着更低的功率损耗和更高的额定功率，从而带来更高的效率和功率密度。 GS-065-030-2-L GaN 晶体管非常适合数据中心、工业和 5G 应用，例如电信和服务器 SMPS、电机驱动、储能系统和无桥图腾柱 PFC 解决方案。

“GaN 在电力电子领域取得了显著成绩——在尺寸、重量、效率、成本和性能方面——我们为我们在每一代产品中取得的进步感到自豪，这样客户就可以最大限度地利用氮化镓的好处。 有了这些新的 GS-065-011-2-L 和 GS-065-030-2-L 产品，我们的客户可以收获更小、更高效和更具成本效益的电力电子产品带来的好处，” GaN Systems 的首席执行官Jim Witham 先生这样表示。

这些产品现在可以在 GaN Systems 的经销商处购买。 如需更多相关信息，请访问 GaN Systems 公司官网的相关产品页以下载数据表等。