GaN Systems Press Releases Articles

中国电源学会颁奖典礼 -“ GaN 系统杯” 2020 年获奖者揭晓

2021 年 1 月 6 日,加拿大安大略省渥太华– 氮化镓功率半导体行业的领导者加拿大氮化镓系统公司(GaN Systems)今天宣布了第六届“ GaN Systems Cup” (氮化镓系统杯)中国电源学会设计大赛的获奖名 单,并在于 2020 年 12 月 21 日举行的中国电源学会会议上举行了颁奖典礼。该竞赛挑战来自中国顶尖大 学的顶尖工程师团队,通过使用 GaN 功率晶体管来设计全新的或改进的电力电子系统。 六个工程团队因其 基于 GaN 的 AC / DC 转换器设计而获奖。 今年的竞赛项目是使用 GaN Systems 650V GS66502B 晶体管设计一个高效率和高功率密度双向 AC / DC 转换器。 系统技术要求和参数包括:400W 额定输出功率,220VAC 输入电压和 300-400VDC 输出 电压,同时在满载时双向效率达到 94%,功率密度不超过 30W / cm3,闭环控制,过电流 和过压保护功 能,并在 25∘C 的自然冷却下连续运行 30…

14支决赛队伍将参加2020年“ 氮化镓系统杯” 现场决赛

自从六年前创办以来,“氮华镓系统杯”中国电源学会(CPSS)设计大赛持续激发着电力电子行业的激情与创新。 自4月份参加比赛的35支队伍中,有14支队伍进入决赛。决赛和颁奖典礼将于2020年12月举行。 “氮化镓系统杯”是中国电力电子及相关专业的主要学生竞赛。多年来,竞赛汇集了来自顶尖大学的顶尖工程团队,以展示使用氮化镓功率晶体管的新型或改进型电力电子系统的可能性。 今年,团队面临的挑战是使用满足以下几个要求的氮化镓系统公司 650V GS66502B型晶体管来设计一种高效率,高功率密度双向AC / DC转换: 400W额定输出功率 220VAC输入电压和300-400VDC输出电压 满载时双向效率达到94%+ > 30W / cm3的功率密度 其他成本和性能因素 氮化镓技术已成为消费电子,数据中心,工业,汽车和可再生能源等行业电力系统中至关重要的部分,这些领域需要更高的效率,更大的功率和更好的性能。 进入最后一轮比赛的团队包括:北京交通大学,杭州电子科技大学,河海大学,黑龙江科技大学,华中科技大学,昆明科技大学,南京科技大学和上海海事大学,上海交通大学,西安交通大学,燕山大学(柳盟集团),浙江大学,中国科学院大学和重庆工业大学。 2020年“氮化镓系统杯”由加拿大氮化镓系统公司,CPSS和该组织的中国电源学会科学普及工作委员会,宁波西慈电子科技有限公司和Itech电子有限公司联合赞助,并由华中科技大学承办。 如需了解更多信息,请访问CPSS竞赛网站:https://www.cpss.org.cn/Home/NewsDetail?categoryName=首页宣传&newsid=127e28f8-f9a4-42d9-9f4c-32585baa053a 。

氮化镓系统公司发布一系列12V D类音频放大器参考设计来满足高性能音频需求

2020年7月28日,加拿大安大略渥太华 – GaN(氮化镓)功率半导体的全球领导者 氮化镓系统公司(GaN Systems) 今天发布了该公司的最新技术手册,标题为“使用GaN功率晶体管的12V高效音频参考设计”。 开发该技术手册是为了响应2020年5月广受好评的GaN Systems D类音频放大器评估套件的发布,以及系统设计工程师客户对12V市场中用于汽车,船舶,动力运动和其他电源应用的设计的日益增长的兴趣。 现在,从专业音响,家庭音响到便携音响的所有细分市场中,高质量音频都是“必不可少的”。 带有GaN的D类音频系统不仅更小,更轻,而且提供了更好的音质。 新技术手册使用氮化镓系统公司(GaN Systems) 的D类音频放大器评估套件为12V输入系统提供了几种放大器设计,其中包括2通道,每通道200W(8欧姆)D类音频放大器和配套的400W,连续功率音频等级的SMPS,其中包括: 单相和双相12V升压转换器设计既支持“直接” + 12V至+ 18V单轨电源,又支持“增强型” + 12V至+ 18V单轨电源配置。 直接+ 12V至+ 18V VIN电源至+/- 32V VOUT升压转换器设计支持“直接” + 12V至+ 18V VIN电源,并在保持所需音频性能的同时,对最佳的成本与功率输出进行了平衡。 在音频系统中,提供更多的功率和更多的通道通常意味着增大尺寸和重量,并牺牲声音质量。 借助氮化镓技术,设计人员可以在小型,轻巧的解决方案中提供更多的功率,更多的通道,更好的音质。 该技术手册以及上述D类放大器和电源套件以及白皮书 “观看,感受并聆听GaN D类放大器和配套 SMPS的与众不同” 可在gansystems.com上找到。

氮化镓系统 (GaN Systems)在2020年PCIM上展示了为何氮化镓会改变游戏规则

2020年6月30日,加拿大安大略省渥太华市– 氮化镓功率半导体的全球领导者氮化镓系统(氮化镓系统 (GaN Systems))今天宣布参加2020年7月7日至8日举行的“ PCIM欧洲数据展会”。首席执行官 Jim Witham将参加两个小组会议,“氮化镓器件-改变游戏规则”和“功率GaN:过去-现在-未来”,说明GaN功率半导体如何成为功率电子的基本组成部分。同时,该公司的技术专家们还将在活动中介绍关于GaN最重要的论文。另外,氮化镓系统 (GaN Systems)还将在其虚拟体验网站上展示其最新的解决方案,设计工具以及具有出色产品特性的产品,这些产品已经在消费类,工业,汽车和数据中心行业上获得了优势。 氮化镓系统 (GaN Systems)首席执行官Jim Witham表示:“尽管今年PCIM欧洲和以往有所不同,但全球电力电子界将再次汇聚在一起,交流关于行业趋势和技术的知识和想法。” “我们期待参与讨论,并强调GaN如何将自己确立为首选解决方案。” 演讲 日期 时间 演讲嘉宾 题目 2020年7月7日,星期二 12:00 — 12:45 PM CEST Jim Witham Power GaN: Past – Present – Future 2020年7月7日,星期二 2:00 — 2:10 PM CEST Jimmy Liu High Frequency Investigation of Wide Bandgap-Based PFC and LLC Converters in PSU 2020年7月8日,星期三…

氮化镓系统 (GaN Systems) named a Cool Vendor in the Gartner May 2020 Cool Vendors in Technology Innovation Through Power and Energy Electronics

OTTAWA, Ontario, May 28, 2020 – 氮化镓系统 (GaN Systems), the global leader in GaN (gallium nitride) power semiconductors, today announced the company has been recognized as a Cool Vendor in the May 2020 Cool Vendors in Technology Innovation Through Power and Energy Electronics report by Gartner, Inc, the world’s leading research and advisory company (Gartner…

基于 GaN 的高频 LLC 谐振变换器的设计考量

本文针对高频 LLC 谐振拓扑将氮化镓(GaN)功率器件与硅基超结 MOSFET(Si SJMOS)和碳化硅 MOSFET(SiC MOS)进行对比,评估了 GaN 功率器件在性能上的优势。文章首先比较了实现高效率和高功率密度 LLC 谐振变换器的关键器件参数。然后,对基于 GaN,Si 和 SiC 的 3KW LLC 的损耗和效率进行分析,最后定量得出结论:基于 GaN 的 LLC 具有明显性能优势, GaN 功率器件对于实现高密度和高效率 LLC谐振变换器具有重要的价值。 作者:加拿大 氮化镓系统 (GaN Systems), 刘学超 介绍 伴随着更高功率密度,更小尺寸和更高效率的明显趋势,高频 LLC 谐振变换器是工业隔离 DC / DC 拓扑的极佳解决方案,例如笔记本适配器(> 75W),1KW-3KW 数据中心电源和车载充电器(OBC)等。图 1 以半桥 LLC 谐振变换器拓扑电路为例,其开关频率分别为 100KHz 和 500KHz。在 500KHz 频率条件下,无源谐振元件(变压器,谐振电感器和谐振电容器)的尺寸大大减小,提高了功率密度。然而在高频条件下,需要考虑功率器件(Q1 和 Q2)的选型,以权衡效率和功率密度。 当前,GaN 功率器件技术已在市场上确立了成熟的地位和强劲的未来发展势头,尽管在硬开关应用中使用 GaN 可以显着提高效率,但在软开关拓扑中通常研究对比较少,文章将对基于…

基于氮化镓的高频图腾柱 PFC 优化设计

氮化镓功率晶体管可提高电力电子系统的功率密度和效率。本文针对无桥图腾柱PFC 提出了开关频 率和滤波器相关设计指南,以验证氮化镓功率器件在系统级的优势。 作者:加拿大氮化镓系统 (GaN Systems) 公司 刘学超(Jimmy Liu),Paul Wiener 引言 众所周知,氮化镓功率器件为电力电子系统提高频率运行,实现高功率密度和高效率带来可能。然而,在高频下需要对EMI 性能进行评估以满足EMC 法规(例 EN55022 B 类标准)要求。为了达到此目标,本文提出了针对连续电流模式无桥图腾柱功率 因数校正电路(PFC)的EMI 滤波器设计流程。针对功率密度 增加带来的效率影响,将导致功率密度和效率之间的权衡,本文将氮化镓基无桥图腾柱PFC 与传统硅基PFC 进行了数据对比,并提出了采用基于氮化镓器件的图腾柱PFC 最佳范围来权衡功率密度和效率。 EMI 建模和滤波器设计 如图1 所示是单相无桥图腾柱PFC 的基本原理图。为了满足EMI 标准,在拓扑结构和交流电源之间需要添加EMI 滤波器,以衰减高速开关过程产生的噪声。文献[1] 已经对该拓扑进行了详细讨论。与传统的升压PFC 相比,由于省略了桥式二极管导通损耗,图腾柱PFC 系统的设计效率非常高。其中蓝色晶体管代表高速桥臂,一般采用宽禁带器件(例如GaN 功率器件)。主要原因是氮化镓器件具有零反向恢复(Qrr = 0),使得在高频换流过程中高频桥臂的开关损耗大大降低,所以可以采用连续电流模式对图腾柱PFC 进行设计,满足中大功率变换的需求。除了显着降低开关损耗外,氮化镓器件的零反向恢复还大大减少由高频换流di / dt 引起的EMI 噪声产生,特别是对于辐射噪声,可以参考文献[2]。本文下一部分将重点讨论高频连续电流模式图腾柱PFC 传导噪声的EMI 建模方法。   如图2 所示,EMI 噪声是通过连接在交流电源和被测设备(DUT)之间的线路阻抗稳定网络(LISN)进行测量。 EMI 测试接收器连接到LISN 的输出,以便与标准定义的限定值进行比较。该LISN 实际上相当于一个高通滤波器功能,目的是将高频噪声电流捕获到RC(0.1μF +50Ω)测试路径中被测设备产生的EMI 噪声可以由EMI 测试接收器通过50Ω 电阻测量。同时,LISN…

西门子采用氮化镓系统 (GaN Systems)公司功率器件实现行业领先的性能

加拿大安大略省渥太华市,2019年12月20日-全球氮化镓功率器件领导者氮化镓系统 (GaN Systems)公司今天宣布,西门子公司正将氮化镓系统 (GaN Systems)公司功率器件集成于其Simatic微型伺服驱动系统产品线的部分产品中。通过集成氮化镓系统 (GaN Systems)功率器件,该西门子产品线具有行业领先的性能,并因高功率密度,高效率和可靠性而使客户受益。 “Simatic 微型伺服驱动系统是一种用途广泛,灵活且安全的集成伺服驱动系统,涵盖了从超低电压范围到24至48伏电子整流电机的广泛应用,” 西门子Simatic 微电机产品经理Christian Neugebauer说。 “借助氮化镓系统 (GaN Systems)的器件,我们现在能够提高驱动器的效率。因为氮化镓器件,西门子产品可以切换到更高的频率,从而和高压驱动系统相比,能够缩短电机响应时间。” 最近,西门子通过新的安全和超低压Simatic 微型伺服驱动产品系列进入了低压驱动器市场。集成的Simatic微型伺服驱动系统具有两种不同的外壳尺寸,支持100至1000瓦之间的电机输出。其基本架构采用氮化镓系统 (GaN Systems)公司的氮化镓功率器件。此四象限驱动系统既可以使用于集成有制动斩波器的电源上,也可以直接在电池运行中使用。 该伺服驱动系统适用于移动,加工和定位等各种不同应用,例如输送机系统和堆高机,单个或多个协调轴的定位,用于存储和检索机器或仓库系统,自动导引车(AGV) 和医疗技术上。 “许多工业客户已经在其量产产品中利用了氮化镓的优势。我们用对产品设计和生产高质量和高性能的要求,从而赢得了客户对氮化镓技术的信心,并且很高兴看到西门子和氮化镓系统 (GaN Systems)公司投入的努力正在实现回报。” 氮化镓系统 (GaN Systems)公司首席执行官Jim Witham说, “氮化镓不再是关于如果或何时的话题,而是现在” 。 关于氮化镓系统 (GaN Systems) 氮化镓系统 (GaN Systems)公司是氮化镓功率半导体的全球领导者,拥有最强的晶体管产品组合,可以独特地满足当今最苛刻行业的需求,包括数据中心服务器,可再生能源系统,汽车,工业电机和消费电子产品。作为市场领先的创新者,氮化镓系统 (GaN Systems)使得设计更小,更低成本,更高效的电源系统成为可能。该公司屡获殊荣的产品为系统设计提供了机会,而不再受从前硅材料的限制。通过晶体管性能的变革,氮化镓系统 (GaN Systems)促使电源产品公司能够革新其行业并改变世界。有关更多信息,请访问:www.gansystems.com或在Facebook,Twitter和LinkedIn上。

从全球成千上万创新者中脱颖而出, GAN Systems跻身2020年全球CLEANTECH 100强

2020年1月16日,加拿大安大略省渥太华– 氮化镓功率半导体的全球领导者氮化镓系统 (GaN Systems)今天宣布,它已被Cleantech Group评为2020年全球Cleantech 100强公司。 2020年全球节能技术百强榜是年度评选的第11版,该评选着重于可持续创新领域的领先公司和议题。它们的特色是私营,独立和营利性公司,并最有能力为数字化,低碳和资源节约型工业未来做出贡献。 GaN System首席执行官Jim Witham说:“我们很荣幸能入围2020年全球节能技术100强”, “这再次证明了我们当前在氮化镓功率半导体领域的领导者地位以及作为一家不断转变创新型节能解决方案公司的地位。” 该清单结合了Cleantech Group的研究数据,提名的定性判断和全球80名成员的专家小组的见解,该专家小组由活跃于技术和创新探索的公司和行业的领先投资者和高管组成。从开拓者和资深人士到新进入者,专家组广泛代表着全球节能技术界,其名单在清洁技术创新生态系统中得到了许多重要参与者的强大尊重和支持。全球节能技术100计划由Chubb赞助。 “我们在定义未来的2020年代的第一份名单是非常准确的,应该不断加强对真正有影响力和必要的创新的推崇,以改变我们的生态结构,实现更可再生的能源系统,并捕获和利用数十年来,我们一直在大量释放的二氧化碳。” Cleantech集团首席执行官Richard Youngman说。 “在解决全球问题方面,一些重大挑战也包括在我们的2020年名单中-从证明融合和下一代电池到零碳航空。” 有关氮化镓系统 (GaN Systems)创新者前景的详细信息,请访问Cleantech Group的市场情报i3平台并搜索氮化镓系统 (GaN Systems)。 关于Cleantech集团 Cleantech®Group提供研究,咨询和活动,以激发创新推动的可持续增长机会。从最初的战略到最终的交易的每个阶段,我们都会为整个生态系统中的企业变革制定者,投资者,政府和利益相关者提供他们所需的敲门砖和个性化支持,以在更加数字化,低碳化和资源高效的未来蓬勃发展。该公司成立于2002年,总部位于旧金山并拥有位于伦敦的不断增长的国际业务。公司的母公司Enovation Partners位于芝加哥。 媒体联系: Laura Dolby Cleantech Group Email: laura.dolby@cleantech.com 关于氮化镓系统 (GaN Systems) 氮化镓系统 (GaN Systems)公司是氮化镓功率半导体的全球领导者,拥有最强的晶体管产品组合,可以独特地满足当今最苛刻行业的需求,包括数据中心服务器,可再生能源系统,汽车,工业电机和消费电子产品。 作为市场领先的创新者,氮化镓系统 (GaN Systems)使得设计更小,更低成本,更高效的电源系统成为可能。该公司屡获殊荣的产品为系统设计提供了机会,而不再受从前硅材料的限制。通过晶体管性能的变革,氮化镓系统 (GaN Systems)促使电源产品公司能够革新其行业并改变世界。有关更多信息,请访问:www.gansystems.com或在Facebook,Twitter和LinkedIn上,或者扫描此二维码以获取我们的微信。 媒体咨询: Mary Placido Trier and Company for 氮化镓系统 (GaN Systems) Email:…

Teledyne e2v HiRel 与氮化镓系统公司 推出高可靠性 650V 氮化镓功率HEMT

高压 GaN Power HEMT 现在提供顶部和底部冷却版本 本新闻稿最初于 2019 年 12 月 18 日刊登在“ 美国商业资讯”上。 美国加州米尔皮塔斯市 — Teledyne e2v HiRel 推出基于氮化镓系统公司 (GaN Systems) 的 行业领先技术的新款加固型的 650V/60A 氮化镓功率 HEMT(高电子迁移率晶体管)。 新型 GaN 功率 HEMT TDG650E60 是目前市场上适用于高可靠性军事和太空应用的最高电压 GaN 功率器件,并可提供顶部或底部冷却选项。 氮化镓器件已经彻底改变了其他行业的功率转换,现在它终于有了耐辐射的塑料封装,而该封装经过了严格的可靠性和电气测试,以确保关键任务的成功。 TDG650E60 GaN HEMT 的发布终于为客户提供了航空航天和国防等关键电源应用所需的效率、尺寸和功率密度优势。 对于所有产品线,Teledyne e2v HiRel 执行针对最高可靠性应用量身定制的最苛刻的鉴定和测试。 该方案包括硫酸测试、高海拔模拟、动态老化、高达 175C 环境温度的阶跃应力、9V 栅极电压和全温测试。 Teledyne 的 TDG650E60 GaN Power HEMT 具有极小的外形尺寸,并采用了 GaN…