GaN Systems Press Releases Articles

革命性的 Syng Cell Alpha扬声器采用GaN Sysems晶体管

安大略省渥太华市，2021年5月20日– 氮化镓功率半导体的全球领导者GaN Systems今天宣布，Syng Cell Alpha无线扬声器将采用GaN Systems晶体管。 科技创新音频公司Syng由前苹果设计师克里斯托弗·斯金格（Christopher Stringer）及企业家达蒙·韦恩（Damon Way）共同创立，克里斯托弗·斯金格（Christopher Stringer）曾帮助开发HomePod，iPhone，iPad和MacBook，而达蒙·韦恩（Damon Way）是DC鞋业和Incase的联合创始人。 Syng凭借其高保真空间声音系统的首次亮相，在家庭音频市场上引起广泛关注，该系统外观酷炫，设计新颖耐用，能提供清晰，细腻和身临其境的声音。 Cell Alpha具有两个相反配置的低音扬声器， 三元两向波束形成阵列， 以及三个内置麦克风，这些麦克风可以将音频校准到房间的声学效果，从而取得最佳的音质。 多个Cell Alpha也可以组网以获得环绕声效果。 Syng工程部负责人Dave Turnbull说：“ Cell Alpha是家庭音频的新起点，并为我们体验和参与声音的方式设定了标准。” “借助氮化镓功率半导体，我们的设计师能够制造出全新的革命性产品，而不会受到劣质电源的阻碍。” Syng与GaN Systems之间的最新合作突显了氮化镓在音频市场中的日益广泛的应用，从放大器到配套电源。 通过用氮化镓替代传统的硅晶体管，音频公司可以在设计上取得重大改进，包括更高的音频质量，更小的尺寸，更大的功率和更高的效率。 Cell Alpha的变革性的声音特性和功能源于其独特的设计。 这种设计要求电子器件具有极高的性能-它们必须占用最小的体积，并在产生最小热量的同时提供大量的瞬态。 这类挑战非常适合GaN Systems晶体管，该器件以极小的封装提供了无与伦比的开关性能。 Cell Alpha的内部电源采用了GaN Systems 650V和100V晶体管，其设计经过优化，可以以低成本满足Syng苛刻的技术要求，并且无需散热器或外部冷却。 有关氮化镓音频的更多信息，请点击以下资源链接： 类音频中的氮化镓 氮化镓电源应用的栅极驱动器电路设计

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“ 氮化镓系统杯” 2021年中国电源学会设计竞赛正在进行中

安大略省渥太华市，2021年5月19日– GaN功率半导体的全球领导者氮化镓系统公司(GaN Systems) 今天宣布，第七届年度“ 氮化镓系统杯”(GaN Systems Cup) 中国电源学会（CPSS）设计竞赛正在进行中。 来自中国顶尖大学的工程团队正处于竞赛的初步阶段，目标是使用GaN Systems GS-065-011-1-L晶体管开发用于高效，高功率密度，宽输出电源设计的最佳设计。 GaN Systems首席执行官Jim Witham表示：“由于氮化镓晶体管已经成为电力电子行业的基本组成部分，氮化镓系杯设计大赛是许多年轻工程师使用我公司氮化镓晶体管来做设计的一个非常好的机会。” “我们很高兴为这项计划提供支持，并衷心祝愿所有的比赛团队在竞赛的这一阶段开发解决方案时万事如意。” 哥大学参赛团队的任务是开发满足几种技术要求的基于氮化镓的电源设计，其中包括： 90-265 VACrms输入电压 5V–15V输出电压（测试15V / 5A和5V / 5A的两个工作条件） 15V / 5A输出时效率超过90％ 功率密度不少于10W /in³ 连续运行30分钟 决赛入围者名单将于2021年8月25日公布，现场决赛和颁奖典礼将于2021年11月CPSS年度会议期间举行。 各个参赛设计将根据是否满足设计标准，测试日的性能，独创性和演示质量来被评判。 CPSS设计竞赛着重于节能，减排和新能源利用方面的创新，并鼓励学生从事电力电子行业的职业。 “ GaN Systems Cup”由重庆大学主办，由GaN Systems，CPSS和该组织的科学普及工作委员会，以及宁波西慈电子科技有限公司赞助，艾德克斯电子公司是该大赛的测试设备供应商。

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GaN Systems扩展汽车产品线

GaN功率半导体的全球领导者GaN Systems今天宣布扩展其汽车级650V晶体管产品线。 GS-065-060-5-B-A是60A，底部冷却的晶体管，专为要求苛刻的大功率电动汽车应用而开发，例如车载充电器，牵引逆变器和DC-DC转换器等设备。 氮化镓的高频特性与GaN Systems专有的Island Technology®布局以及GaNPX®封装相结合，可提供当今电力电子设备所需要的高功率，低损耗等特性。 电源工程师利用氮化镓功率晶体管的功能使他们的产品比原来轻便小巧一半，并降低系统成本。 GaN Systems的这一新产品具有以下特点： •符合AEC-Q101和AutoQual +™ 标准 •低RDS(on) （25mΩ）和超低损耗品质因数（FOM） •60A IDS等级 •采用双栅极焊盘的11mm x 9mm小型PCB板，可实现最佳的电路板布局 GaN Systems首席执行官Jim Witham表示：“我们通过超过行业标准的新汽车产品和资格测试设定了较高的基准。” “汽车是GaN Systems的关键市场，在该市场中，减小电池尺寸，扩展最大行驶里程以及保持电力电子系统的小巧轻便，对于当前和未来的EV设计都是必不可少的。” 如需更多信息，请下载数据表，或与GaN Systems联系。

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GaN Systems发布针对功率应用的最高功率密度3kW LLC参考设计

氮化镓功率半导体的全球领导者GaN Systems今天推出了一种新的参考设计，用于基于氮化镓的高密度，高效率3kW LLC谐振转换器（GS-EVB-LLC-3KW-GS），旨在减少设计开发数据中心，电信和工业开关模式电源（SMPS）等应用的公司的开发周期，成本和上市时间。     全桥LLC谐振转换器设计集成了GaN Systems的650 V E-模式晶体管，超过了电源单元的80 PLUS Titanium标准，实现了高于100W / 立方英寸的高功率密度（AC / DC PSU），以及更高的效率。 超过96％。 3kW LLC的主要优点和功能包括： 高密度：高达146W / 立方英寸（包括强制风冷） 高效率：峰值效率> 98％ 体积小：高度小于30mm，并符合薄型1U数据中心尺寸 高开关频率，最高可达450 KHz 电流，短路和过压系统保护 数据中心对功率密度和效率指标要求越来越高，要求在更小的占位面积上提供更多的功率；新的法规政策，例如欧盟的“ Lot 9” 2023法案，对供电和供电相关的数据中心基础架构和能源效率提出了要求。 业界还在从“每瓦特美元”值向“每密度美元”值过渡，其中密度是电源大小和功率的度量。 使用氮化镓的较小电源可以在同一机架空间中增加更多的存储和内存，从而无需建立更多的数据中心即可增加数据中心的容量。 有关技术信息和设计信息可以在这里找到。 您也可以通过GaN Systems分销商购买参考设计。

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来自 CEO 的报告

2021 年的第一季度已为氮化镓系统公司今年的显著增长和扩展奠定了基础。 市场转向氮化镓晶体管已不再仅仅是理论上的。 它已经成为现实。 不断增长的生产能 力和产量，不断下调的价格，一再被证明的可靠性以及用户的突破，使氮化镓很坚 定地成为市场主流。 生产能力的提升：上个月，我们宣布了 2 千万个氮化镓晶体管的出货量。 我们的 主要工厂合作伙伴正按计划在 2021 年底前将产能扩大 40 倍。 这种产能的增加使我们为下一波大订单做好了充分的准备，需求高速增长的几个关键市场包括：消费类充电器和适配器，音频放大器，数据中心电源以及汽车 EV 电源电子产品。   价格下跌：大批量的氮化镓系统晶体管跌破了 1.00 美元的里程碑。这意味着在某 些领域氮化镓价格现在已接近甚至低于硅 MOSFET 的价格。消费者和企业应用的 高速增长，持续不断的工艺改进，以及氮化镓系统公司对降低成本的重视，是导致 价格下调的主要因素。 可靠性证明：除了生产能力和价格外，技术可靠性是推动 GaN 技术在 2021 年发 展的关键因素。过去一年中，氮化镓系统公司与客户合作开发了 AutoQual +™， 这是一种增强型的资格测试流程，这些对可靠性要求很高的客户来自汽车，工业和 HiRel 行业。 我们确保这个项目考虑了 JEDEC 和 AEC-Q 标准以及数十年的工程 经验，以确保没有盲点，避免带有偏差的结论。   客户的突破：在最近的一篇文章中，西门子谈到了从使用硅到氮化镓为其 Simatic Micro-Drive 产品线创建新一代工业电机驱动器的过程。 这些两厘米宽的微型驱 动器满足了客户对能效，少占地面积，以及可靠性和安全性的不断增长的要求。 这些趋势汇总成一个有力的叙述，氮化镓清楚地跨越了技术采用的鸿沟，并进入了 主流。 我有幸为《福布斯》（Forbes）撰写了有关氮化镓的文章，我们还制作了…

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氮化镓系统公司和Silanna 半导体公司发布突破性的65W ACF 氮化镓充电器参考设计

全球领先的氮化镓功率半导体厂商氮化镓系统公司(GaN Systems) 今天宣布与Silanna 半导体公司合作，推出了一款 基于氮化镓的最高功率密度、高效率的65W有源箝位反激式（ACF）充电器的新参考设计。该参考设计现已在Silanna 半导体公司上市，为ACF USB-C PD 氮化镓充电器提供了一个简单的设计，为客户缩短了设计周期和产品上市时间。 该解决方案消除了ACF拓扑设计的困难，因为ACF拓扑设计通常在高侧和低侧配置两个晶体管。新的充电器参考设计采用Silanna 半导体公司的SZ1130 ACF PWM控制器和氮化镓系统公司的 GS-065-008-1-L 650V GaN功率晶体管，将高侧FET集成到控制器中。这种设计通过在二次侧使用传统的RM8变压器和100V SR MOSFET，降低了BoM成本。 主要优点和特点： 超高的密度： 30W/in^3无机箱 高效率：峰值效率 >94%。 低温：<95◦C 最高元器件温度 更好的EMI设计：清晰的波形，几乎没有电压尖峰或振铃。 支持广泛的应用：5V/3A、9V/3A、15V/3A和20V/3.25A输出电压；USB-PD。 “Silanna半导体公司是另一个成功案例，他们非常适合65W ACF设计，该公司认识到氮化镓对电源工程师的重要性日益增加，并开发出创新性解决方案，”氮化镓系统公司首席执行官Jim Witham说，”随着氮化镓成为整个市场的标准构件，我们很高兴看到这个生态系统继续发展。” 欲了解更多信息或购买，请访问cn.gansystems.com或Silanna 半导体公司网站，网址为 www.powerdensity.com.

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GaN Systems（氮化镓系统）推出业界最小，最智能的100W GaN充电器参考设计

完整全面的参考设计使消费电子公司能够快速设计并推出更小巧，功能更强大，更高效的氮化镓充电器 安大略省渥太华市，2021年3月18日-GaN（氮化镓）功率半导体的全球领导者GaN Systems（氮化镓系统）公司今天发布业界最小的 100W双USB-C智能PD 氮化镓充电器。该完整的解决方案领先于市场上任何100W多口充电器产品，其实现了最高的功率密度以及智能化工作。该充电器可以支持从单口100W设备，到支持两口65W和30W设备或两口45W或30W设备，从而适时地为各种插入设备功率级别组合供电。此外，当功率低于某个阈值时，该充电器方案会切换到更高效率的模式，以进一步提高性能并减少自身损耗。 充电器参考设计现已通过GaN Systems发布，其中包括完整样机和设计文档（原理图，PCB布局，BOM和设计指南），以缩短产品设计周期并加快充电器产品发布速度。 100W充电器参考设计使用GaN Systems的 GS-065-011-1-L 氮化镓晶体管，具有以下关键特征和出色的性能： 超高功率密度：> 16W/in3，带有外壳和可折叠输入插脚 灵活智能的配电：双USB-C端口支持通用USB-C协议和灵活的插入式终端设备 峰值效率：>92.5％， 超过EN55032 B类，余量>6dB 符合安全IEC62368-1触摸温度要求 带功率因数校正（PFC）电路并满足IEC61000-3-2的电力线谐波要求 GaN Systems首席执行官Jim Witham表示： “很多消费者已经表明他们需要氮化镓 (GaN)充电器。从最初只有65瓦，到现在大家都希望更大功率多个端口100瓦充电器。我们的方案是性能最佳，最智能，最小的充电器设计，这些都已经得到很多领先客户验证。同时参考设计可以使客户的最终产品达到最优性能并在市场上创下记录。”

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氮化镓功率晶体管价格降至1美元以下

这一关键里程碑标志着氮化镓在全球范围内被迅速采用 安大略省渥太华市，2021年3月9日– GaN（氮化镓）功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布，其低电流，大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。 这些晶体管通常用于智能手机和笔记本电脑以及各种消费品和工业应用的氮化镓充电器和AC适配器。 随着全球众多消费者，企业和工业市场客户的产量提高，GaN Systems预计氮化镓晶体管的价格会进一步降低 多年来，尽管人们已经认识到氮化镓的性能优势，包括较低的总体系统成本，更高的功率密度和功率效率，但许多电源系统制造商还是选择等待氮化镓接近硅的价格再采用。 “等待已经结束，我们终于看到价格低于1美元，这是一个里程碑。 随着数量的猛增，氮化镓价格已经逼近甚至低于硅MOSFET的价格，” GaN Systems首席执行官Jim Witham评论道。 “在短短几年内，我们看到氮化镓使电源系统变得更小，更轻，更凉也更便宜。 因此现在有非常多的客户在其产品和设计中使用氮化镓，也就不足为奇了。” 市场对氮化镓功率半导体的需求一直在增长。 根据“宏景研究所”Grand View Research）的预测，全球氮化镓半导体器件市场将从2020年的16.5亿美元（市场规模价值）以19.8％的复合年增长率增长，到2027年达到58.5亿美元。GaN Systems公司一直在经历这种增长，它最近宣布达到了2千万氮化镓晶体管的出货量 ，并将在2021年实现40倍的产能扩展。 根据Yole Développement 的说法，氮化镓的采用率上升是由大批量消费品市场（如快速充电器应用）推动的。 消费者和企业应用市场的高速增长，以及GaN Systems公司对工艺的不断改进和对成本控制的关注，使氮化镓价格下调成为可能。 由于GaN Systems公司业已证明的可靠性和大批量生产能力，这一趋势使其在许多市场上迅速采用氮化镓方面处于有利地位。 如欲了解更多信息或购买氮化镓产品，请访问cn.gansystems.com。

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氮化镓系统公司推出全球首款具有可编程源电流和过流保护功能的氮化镓功率级

新的半桥子卡采用瑞萨电子的氮化镓 FET驱动器 氮化镓功率半导体的全球领导者GaN Systems公司今天宣布发布两款650V半桥子卡（30A和60A），它们提供了一种用于评估氮化镓驱动器和晶体管的超多功能平台。 评估板提供两种功率级别，最高3kW（GS-EVB-HB-66508B-RN）和最高6kW（GS-EVB-HB-66516T-RN），并包含瑞萨电子（Renesas）RAA226110低侧氮化镓 FET驱动器 。 这些卡是业界首款提供具有可调阈值和可编程源电流的可编程过流保护功能，以实现可调节的导通压摆率的产品。 氮化镓系统公司 (GaN Systems Inc.) 的战略营销副总裁Paul Wiener先生表示: “氮化镓晶体管已经成为电力电子技术的基本组成部分。 瑞萨电子推出的具有同类产品中最佳功能与性能的低侧氮化镓 FET驱动器，证实了氮化镓晶体管已成为电源设计工程师的首选工具。” “瑞萨致力于开发支持氮化镓晶体管的创新功率产品。” 瑞萨电子工业与通信业务部副总裁菲利普·切斯利先生如是说： “一个例子就是我们的新型RAA226110低侧氮化镓FET驱动器，它提供了客户说需要的高性能驱动器的所有功能。” 这些功率级设计用途广泛：它们可用于企业级1U电源（最高5kW），高功率密度无桥图腾柱PFC，PV逆变器，能量存储系统，电机驱动器以及汽车DC / DC转换器和 车载充电器等。 这些评估板的特点是设计灵活，简洁并提供独特的性能。 它们与GaN Systems公司的主板配合使用时可实现轻松设置和即插即用。 该评估卡还具有2MHz fSW的集成VGS调节功能和一些独特的性能，例如具有40mV / 80mV / 120mV可调阈值的可编程过流保护和差分电流感应以及用于可调导通的可编程电源电流 压摆率（0.3A，0.75A或2A）。 如需了解有关这些评估卡的更多信息，请访问氮化镓系统公司官网；有关瑞萨电子RAA226110的信息可以通过访问renesas.com/RAA226110获得。

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氮化镓系统公司出货两千万个氮化镓晶体管

氮化镓系统公司出货两千万个氮化镓晶体管 安大略省渥太华市，2021年2月8日 – GaN（氮化镓）功率晶体管的全球领导者氮化镓系统公司（GaN Systems）今天宣布其氮化镓晶体管的出货量已达两千万个，其代工厂正按计划在2021年完成40倍的产能扩展 。 产能增加是为了满足用于多个领域的氮化镓晶体管的下一轮大订单潮。 氮化镓系统公司的产品在几个关键的工业市场上都经历了极高的增长。 除电话和计算机充电器及适配器之外，氮化镓系统公司的晶体管还用于音频放大器，数据中心电源，工业电机驱动器，激光驱动器，医疗电源，卫星和航空航天系统以及汽车EV电源电子产品中。 氮化镓系统公司的全面的，顶级100V和650V产品线可靠性好，效率更高，功率密度更大，同时又减小产品尺寸，重量和成本，优势明显；这些都是氮化镓相对于传统硅和新的SiC晶体获得市场认可日益增长的原因。 另外，氮化镓比SiC便宜得多，后者需要更昂贵和复杂的制造工艺。 增加SiC容量所需的成本比氮化镓高10倍。低CAPEX的容量以及非常低的基板成本导致氮化镓晶体管的成本低于SiC。 目前氮化镓的价格仅为几年前的一半，使系统成本与使用传统硅晶体管构建的电源系统相近或更低。 “我们的产品设计专业知识，产品范围以及与客户的合作伙伴关系已经产生了市场领先的氮化镓产品线。 这得益于我们的飞速增长以及台积电致力于提供满足需求的产能。” GaN Systems首席执行官Jim Witham补充道。 目前，许多大型公司和OEM厂商正在设计和交付基于氮化镓的产品。 正如氮化镓系统公司的 《 2021年功率电子学的顶级技术预测》中所预测的那样，市场对氮化镓供电产品的需求和采用都在增长。 现在，新技术采用风险已被由于您未采用GaN而被抛在后面的风险所替代。

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