档案：评估板和参考设计
评估板清单已经被更新
| 描述 | 评估板 |
|---|---|
| 基于650 V GaN E-HEMT的子板 2 kW | |
| 基于650 V GaN E-HEMT的子板 2.5 kW | |
| 基于650 V GaN E-HEMT的子板 750 W | |
| 基于650 V GaN E-HEMT的子板 1.5 kW | |
| 双通道200Wx2 Class D 音频功放及其400W 电源评估板 | GS-EVB-AUD-BUNDLE1-GS |
| 30A 50mΩ 非隔离半桥驱动评估板-ONsemi | GS-EVB-HB-66508B-ON1 |
| 30A 50mΩ 过流保护半桥驱动氮化镓子板参考设计 – Renesas | GS-EVB-HB-66508B-RN |
| 100V，具有高频GaN驱动器的GaN E-HEMT降压转换器 | GS61008P-EVBHF |
| 可配置12种不同拓扑的大功率主板 | GSP65MB-EVB |
| —带驱动半桥IMS板; 650 V, 25 mΩ, 2-4 kW | GSP65R25HB-EVB |
| 60A 25mΩ 光耦半桥驱动氮化镓子板 – Broadcom | GS66516T-EVBDB2 |
| 60A 25mΩ过流保护半桥驱动氮化镓子板 – Renesas | GS-EVB-HB-66516T-RN |
| 300W PFC/LLC AC/DC 评估版 | GS-EVB-ACDC-300W-ON |
| 90A 7mΩ非隔离半桥驱动评估板-ONsemi | GS-EVB-HB-61008P-ON |
| 隔离式半桥双极驱动器 – 60A 25mΩ GaN 评估板 – Allegro Microsystems | GS-EVB-HB-0650603B-HD |
| 隔离半桥子板的通用主板 | GS665MB-EVB |
| — 30A 50mΩ 数字驱动半桥氮化镓子板 – Analog Devices | GS66508B-EVBDB1 |
| — 30A 50mΩ 光耦半桥驱动氮化镓子板 – Broadcom | GS66508T-EVBDB2 |
| 带驱动半桥IMS板; 650 V, 13 mΩ, 4-7 kW | GSP65R13HB-EVB |
| 带隔离驱动的小功率半桥或全桥主板 | GS-EVB-IMS2-LPMB |
| —带驱动半桥IMS板; 650 V, 150 mΩ, 150 W (2x 全桥) | GS-EVB-IMS2-065011L-GS |
| —带驱动半桥IMS板; 650 V, 100 mΩ, 250 W (2x 全桥) | GS-EVB-IMS2-66504B-GS |
| 大功率全桥隔离驱动板 | GSP665HPMB-EVBIMS2 |
| —带驱动半桥IMS板, 3 W/mK 热导率; 650 V, 50 mΩ, 1-3 kW (2x 全桥) | GSP66508HB-EVBIMS2 |
| —带驱动半桥IMS板, 7 W/mK热导率; 650 V, 25 mΩ, 3-6 kW (2x全桥) | GS-EVB-IMS3-0650603B-GS |
