Using MOSFET Controllers to Drive GaN E-HEMTs

本文最初发表于Bodo的Power Systems 2019年8月号，作者是高级电力电子应用工程师Qiya Yau Qi和GaN Systems应用工程经理Lujuncheng（Lucas）Lu。这里提供一小部分摘要，其余的部分，包括相关的图形和表格，可以通过下载下面的PDF来阅读。

 

 

 

在氮化镓（GaN）之前，硅（Si）MOSFET几十年来一直是适配器应用中功率的标准。结果，市场上许多现有的控制器，包括功率因数校正（PFC）和DC-DC控制器，已经将硅驱动器集成到控制器芯片中。这些控制器已被证明是一种经济高效的完整解决方案。但是，Si MOSFET的劣质因数（FOM）限制了控制器的高开关频率性能，无法满足现代电源系统至关重要的高功率密度要求。

GaN功率晶体管已经证明了其与Si MOSFET相比在高频性能方面的优势，并且继续取得重大进步，包括改善驱动功率晶体管的简易性。增强模式GaN（E-HEMT）由栅极和源极之间的正电压驱动，类似于N沟道Si MOSFET，为驱动器件提供了熟悉的解决方案。 GaN Systems提供了一种解决方案，可轻松使用MOSFET控制器12 V输出电压来驱动GaN 7 V栅极输入，而无需外部或集成的附加驱动器……。