2015年12月1日，安大略省渥太华 – 氮化镓能源晶体管的领先制造商GaN Systems公司宣布，其代工厂台积电（TMSC）已将基于GaN System专有的IslandTechnology®的产品的批量生产的产能扩大了10倍，以应对来自全球激增的消费者和企业客户的需求。 GaN Systems拥有业界最广泛，最全面的GaN能源晶体管产品组合，其中100V和650V GaN FET均已大批量供货。 基于GaN Systems的Island技术并使用TSMC的GaN fab工艺的晶体管拥有业界最佳的性能和优异的表现，其可以轻松超越世界上最高性能的硅功率半导体，是最新的碳化硅器件和具有竞争力氮化镓产品。 台积电氮化镓工艺与GaN Systems专有的Island Technology设计通过GaNPX™封装而结合并得到了进一步增强，该封装表现出高电流处理能力，极低的电感和出色的热性能。 GaN Systems的能源开关晶体管继续保持氮化镓市场的领导地位，提供同类最佳的100V和650V器件，并推动了从更薄的电视到更大范围的电动汽车的产品创新。 台积电业务管理副总裁Sajiv Dalal表示：“我们很高兴确认，我们与GaN Systems的合作带来了氮化镓从概念到可靠性测试再到批量生产的保证。” GaN Systems总裁Girvan Patterson补充说：“ GaN已成为首选的功率半导体解决方案。 智能移动设备，超薄电视，游戏机，汽车系统和其他大批量产品已采用GaN晶体管作为支持电源技术进行了设计， 因此,相应设备的大量供应能力迫在眉睫。通过使用我们已获专利的Island Technology，我们已经设计并提供了可广泛采用的GaN电源解决方案，该解决方案大大超出了硅器件所展现的性能标准。 因此，经过三年的合作，我们很高兴正式宣布与台积电（TSMC）的合作，台积电是全球领先的第三方半导体制造公司，也是整个行业质量和服务的代名词。” GaN Systems自2008年开始了交付大量高度可靠的接近芯片级封装的GaN晶体管的征途。 该公司成立的使命是基于Island Technology开发低成本，高可靠性的GaN-on-Silicon产品，一种创建岛的方法，可减轻电迁移，减小芯片模具尺寸，并以高产量实现超高电流器件。 将Island Technology与台积电（TSMC）的硅上GaN制造技术结合，使GaN Systems能够在2014年中期向市场交付高可用，高性能，常关型晶体管。 这使能源存储，企业和消费者市场中的全球电力系统制造商能够设计，开发，测试并将更强大，更轻便，更小巧的新产品推向市场来获得竞争优势。为满足客户在2016年对高GaN产量不断增长的需求，台积电致力于量产的承诺十分及时。

氮化镓系统 (GaN Systems) teams with the UK EPSRC Power Electronics Centre to accelerate the use of high speed GaN transistors in future power conversion or control applications Nottingham, England – At a ceremony held at the EPSRC Centre for Power Electronics Annual Conference 2016 in Nottingham, England, a post-graduate team from Imperial College London received…